Défi technologique : Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique (en savoir +)
Département : Département des Plateformes Technologiques (LETI)
Laboratoire : Laboratoire d'integration technologique pour la photonique
Date de début : 01-10-2023
Localisation : Grenoble
Code CEA : SL-DRT-23-0801
Contact : christophe.jany@cea.fr
Pour traiter l'enjeu du réchauffement climatique, il serait essentiel d'électrifier au maximum dans l'industrie et dans le transport, pour diminuer l'émission de CO2. Dans ce cadre, le LETI travaille avec le nitrure de gallium, un semiconducteur "grand gap" qui pourrait diminuer les pertes de conversion et donc rendre plus efficace la production et gestion de l'électricité. L'objective de la thèse sera de fabriquer des diodes (pseudo)verticaux à la base de couches GaN épitaxiées sur silicium de façon localisé. Ces diodes seront capable de tenir 1200V, et avec un Ron spécifique < 1mOhm.cm². Il va falloir travailler à la fois les étapes technologiques, et la forme des composants pour atteindre un tel device.
