Etude de la stabilité de structures Si-CMOS pour la réalisation de qubits de spin

Description de l'offre : Les qubits de spin dans les structures CMOS à base de silicium se démarquent par leur compatibilité avec les technologies de semi-conducteurs et leur potentiel de mise à lapos;échelle. Toutefois, les impuretés et les défauts introduits lors de la fabrication, entraînent du bruit et de lapos;instabilité, ce qui affecte leurs performances. Lapos;objectif est de caractériser des dispositifs fabriqués au CEA-Leti, de la température ambiante à cryogénique, pour évaluer leur qualité et comprendre les mécanismes physiques responsables de leur instabilité. Le but est dapos;améliorer la conception des dispositifs et idéalement de mettre en place une méthode dapos;identification des dispositifs les plus prometteurs sans nécessiter des mesures à très basses températures. Le candidat devra avoir des compétences dans les domaines suivants : - Physique expérimentale et des semi-conducteurs. - Programmation dapos;algorithmes et analyse de données. - Connaissance en nano-fabrication, physique des basses températures et physique quantique (souhaitable).

Profil du candidat : M2 ou Ecole ingénieur physique/matériaux semiconducteurs