{"id":12469,"date":"2026-05-27T09:25:04","date_gmt":"2026-05-27T07:25:04","guid":{"rendered":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/offre-emploi\/fiabilite-et-proprietes-dynamiques-des-mos-hemt-gan-impact-de-la-barriere-enterree-et-du-type-de-substrat\/"},"modified":"2026-06-13T09:00:06","modified_gmt":"2026-06-13T07:00:06","slug":"fiabilite-et-proprietes-dynamiques-des-mos-hemt-gan-impact-de-la-barriere-enterree-et-du-type-de-substrat","status":"publish","type":"offre-emploi","link":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/offre-emploi\/fiabilite-et-proprietes-dynamiques-des-mos-hemt-gan-impact-de-la-barriere-enterree-et-du-type-de-substrat\/","title":{"rendered":"Reliability and dynamic properties of GaN high electron mobility transistors : backbarrier and substrate type impact"},"content":{"rendered":"<p>Lapos;expansion rapide de lapos;IA et de lapos;informatique en nuage a plac\u00e9 des exigences sans pr\u00e9c\u00e9dent sur lapos;infrastructure des centres de donn\u00e9es, o\u00f9 lapos;efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique est d\u00e9sormais une contrainte d\u00e9finissante. Malgr\u00e9 leur potentiel, de nombreux syst\u00e8mes de puissance reposent encore sur des dispositifs \u00e0 base de silicium, qui souffrent de limitations intrins\u00e8ques dapos;efficacit\u00e9 entra\u00eenant des pertes dapos;\u00e9nergie significatives. Les transistors \u00e0 haute mobilit\u00e9 \u00e9lectronique GaN (GaN HEMTs), gr\u00e2ce \u00e0 leur mobilit\u00e9 \u00e9lectronique sup\u00e9rieure et \u00e0 leur tension de claquage \u00e9lev\u00e9e, repr\u00e9sentent une alternative convaincante, capable dapos;atteindre des efficacit\u00e9s bien plus \u00e9lev\u00e9es dans la conversion de puissance. Cependant, leur adoption plus large est limit\u00e9e par des d\u00e9fis de fiabilit\u00e9, en particulier ceux li\u00e9s aux m\u00e9canismes de pi\u00e9geage de charge qui d\u00e9gradent les performances du dispositif au fil du temps. Dans ce projet de th\u00e8se, vous allez explorer les dynamiques fondamentales des porteurs de charge dans les GaN HEMTs, en vous concentrant sur les origines physiques des d\u00e9rives de la r\u00e9sistance \u00e0 lapos;\u00e9tat passant et de la tension de seuil &#8211; indicateurs cl\u00e9s de lapos;instabilit\u00e9 du dispositif. En analysant syst\u00e9matiquement le comportement \u00e9lectrique de ces transistors dans diverses conditions de fonctionnement, vous allez d\u00e9couvrir les m\u00e9canismes derri\u00e8re leur d\u00e9gradation et identifier des voies pour am\u00e9liorer leur robustesse. Vos d\u00e9couvertes informeront directement lapos;optimisation des architectures de dispositifs, permettant le d\u00e9veloppement dapos;\u00e9lectroniques de puissance plus efficaces et fiables qui peuvent r\u00e9pondre aux exigences des centres de donn\u00e9es modernes et au-del\u00e0. Vous ferez partie dapos;une \u00e9quipe de recherche multidisciplinaire au CEA-Leti, collaborant avec des experts en ing\u00e9nierie des mat\u00e9riaux semiconducteurs, simulation de dispositifs et caract\u00e9risation \u00e9lectrique. Cet environnement vous fournira un ensemble de comp\u00e9tences complet, couvrant lapos;ing\u00e9nierie de processus, les tests \u00e9lectriques avanc\u00e9s et les simulations TCAD. Cette position ne fera pas seulement \u00e9voluer votre expertise, mais vous placera \u00e9galement \u00e0 lapos;avant-garde dapos;un domaine \u00e0 impact mondial. En contribuant \u00e0 lapos;avancement des GaN HEMTs, vous jouerez un r\u00f4le cl\u00e9 dans la d\u00e9finition de lapos;avenir de lapos;\u00e9lectronique de puissance &#8211; o\u00f9 lapos;innovation se traduit directement par des solutions technologiques durables.<\/p>","protected":false},"featured_media":0,"template":"","categories":[167],"tags":[],"class_list":["post-12469","offre-emploi","type-offre-emploi","status-publish","hentry","category-materiaux-et-procedes-emergents-pour-les-nanotechnologies-et-la-microelectronique"],"acf":[],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/offre-emploi\/12469","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/offre-emploi"}],"about":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/types\/offre-emploi"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=12469"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=12469"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=12469"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}