{"id":12476,"date":"2026-05-27T09:25:05","date_gmt":"2026-05-27T07:25:05","guid":{"rendered":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/offre-emploi\/caracterisation-et-optimisation-de-hbt-iii-v-sur-silicium-pour-applications-6g-et-datacom\/"},"modified":"2026-06-19T09:00:08","modified_gmt":"2026-06-19T07:00:08","slug":"caracterisation-et-optimisation-de-hbt-iii-v-sur-silicium-pour-applications-6g-et-datacom","status":"publish","type":"offre-emploi","link":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/offre-emploi\/caracterisation-et-optimisation-de-hbt-iii-v-sur-silicium-pour-applications-6g-et-datacom\/","title":{"rendered":"Electrical characterization and optimization of III-V HBT on Si for 6G and datacom applications"},"content":{"rendered":"<p>Face \u00e0 lapos;explosion de la demande en contenu num\u00e9rique, les syst\u00e8mes 6G sont confront\u00e9s \u00e0 des d\u00e9fis majeurs, notamment le d\u00e9veloppement dapos;amplificateurs de puissance pour les fr\u00e9quences sub-THz. Ces fr\u00e9quences promettent des d\u00e9bits de donn\u00e9es ultra-rapides, mais repoussent les limites des technologies silicium actuelles. Dans les datacenters IA, la communication optique entre les GPU est indispensable pour r\u00e9duire la consommation \u00e9nerg\u00e9tique totale, par rapport au c\u00e2blage filaire classique. Des dispositifs \u00e0 tr\u00e8s haute vitesse sont alors n\u00e9cessaires pour les circuits de commande \u00e9lectriques des photod\u00e9tecteurs et des lasers. Les transistors bipolaires \u00e0 h\u00e9t\u00e9rojonction (HBT) \u00e0 base dapos;InP sur de grands substrats de silicium offrent une solution prometteuse, alliant performances \u00e0 haute vitesse et pertes syst\u00e8me minimales. Cette technologie pr\u00e9sente toutefois le d\u00e9fi dapos;int\u00e9grer les couches III-V aux proc\u00e9d\u00e9s compatibles CMOS, tout en ouvrant la voie \u00e0 de nouvelles architectures de dispositifs prometteuses, permettant \u00e0 la fois la r\u00e9duction des \u00e9l\u00e9ments parasites et la gestion de lapos;auto-\u00e9chauffement. Ce programme doctoral vise \u00e0 orienter les d\u00e9veloppements du Leti sur les HBT III-V sur silicium afin dapos;optimiser lapos;architecture du dispositif et dapos;am\u00e9liorer ses performances RF. Dans ce programme, lapos;\u00e9tudiant aura la charge de\u00a0: &#8211; R\u00e9aliser la caract\u00e9risation \u00e9lectrique de diff\u00e9rentes g\u00e9om\u00e9tries de dispositifs et de diverses architectures technologiques par des mesures DC et RF telles que les caract\u00e9ristiques courant-tension (I-V), lapos;analyse thermique, les param\u00e8tres S et \u00e9ventuellement Load-Pull. &#8211; Simuler les principaux effets parasites et de nouvelles architectures de dispositifs afin dapos;en comprendre les limitations. &#8211; Collaborer \u00e9troitement avec les ing\u00e9nieurs proc\u00e9d\u00e9s pour relier les r\u00e9sultats \u00e9lectriques aux choix de fabrication et optimiser les dispositifs.<\/p>","protected":false},"featured_media":0,"template":"","categories":[167],"tags":[],"class_list":["post-12476","offre-emploi","type-offre-emploi","status-publish","hentry","category-materiaux-et-procedes-emergents-pour-les-nanotechnologies-et-la-microelectronique"],"acf":[],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/offre-emploi\/12476","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/offre-emploi"}],"about":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/types\/offre-emploi"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=12476"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=12476"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=12476"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}