{"id":8951,"date":"2023-11-10T09:00:27","date_gmt":"2023-11-10T08:00:27","guid":{"rendered":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/post-docs\/developpement-de-contacts-metalliques-pour-les-transistors-mosfet-a-canal-mos2\/"},"modified":"2026-05-05T09:00:04","modified_gmt":"2026-05-05T07:00:04","slug":"developpement-de-contacts-metalliques-pour-les-transistors-mosfet-a-canal-mos2","status":"publish","type":"post-docs","link":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/post-docs\/developpement-de-contacts-metalliques-pour-les-transistors-mosfet-a-canal-mos2\/","title":{"rendered":"Development of innovative metal contacts for 2D-material field-effect-transistors"},"content":{"rendered":"<p>Ce travail s\u2019inscrit dans le contexte actuel des recherches prospectives en micro-\u00e9lectronique qui essaye de tirer profit de nouveaux mat\u00e9riaux \u00e9mergents aux dimensions nanom\u00e9triques pour continuer la r\u00e9duction d\u2019\u00e9chelle des dispositifs MOSFETs. Aujourd\u2019hui, les mat\u00e9riaux 2D, en particulier les dichalcog\u00e9nures de m\u00e9taux de transition, pr\u00e9sente une alternative int\u00e9ressante aux technologies Si. En effet, la structure lamellaire des mat\u00e9riaux 2D permet de travailler avec seulement quelques monocouches. En utilisant ces mat\u00e9riaux comme canal du transistor, ils offrent une tr\u00e8s bonne immunit\u00e9 aux effets de canal court par rapport aux transistors \u00e0 effet de champ conventionnels \u00e0 base de Si. Cependant, l&rsquo;introduction de ces nouveaux mat\u00e9riaux semi-conducteurs comme pose un certain nombre de probl\u00e8mes. Le premier d\u2019entre eux concerne la formation des contacts source et drain. Si de nombreux efforts ont \u00e9t\u00e9 d\u00e9ploy\u00e9s ces derni\u00e8res ann\u00e9es pour r\u00e9duire les r\u00e9sistances de contact, pour beaucoup, ces approches ne sont pas compatibles avec une int\u00e9gration CMOS. L&rsquo;objectif principal de ce travail est donc de proposer une compr\u00e9hension approfondie des caract\u00e9ristiques des contacts \u00e9lectriques (bas\u00e9es sur diff\u00e9rents mat\u00e9riaux) pour identifier la r\u00e9sistance de contact la plus faible qu\u2019il est possible d\u2019obtenir. Les processus impliqu\u00e9s, offrant une r\u00e9sistance de contact optimale, doivent \u00eatre compatibles en vue d\u2019une int\u00e9gration dans notre plateforme CMOS avanc\u00e9e 200\/300mm. Le Post-Doc \u00e9tudiera en profondeur les diff\u00e9rents m\u00e9canismes permettant la formation de faibles r\u00e9sistances de contact entre une couche m\u00e9tallique et une couche de MoS2. Il devra identifier les mat\u00e9riaux les plus prometteurs et d\u00e9velopper les proc\u00e9d\u00e9s de d\u00e9p\u00f4t associ\u00e9s. Enfin, ces \u00e9tudes seront coupl\u00e9es \u00e0 de la caract\u00e9risation \u00e9lectrique pour bien qualifier \u00e0 la fois les mat\u00e9riaux et les interfaces permettant un fonctionnement optimal des transistors MOSFET MoS2.<\/p>","protected":false},"featured_media":0,"template":"","categories":[167],"tags":[],"class_list":["post-8951","post-docs","type-post-docs","status-publish","hentry","category-materiaux-et-procedes-emergents-pour-les-nanotechnologies-et-la-microelectronique"],"acf":[],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/post-docs\/8951","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/post-docs"}],"about":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post-docs"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=8951"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=8951"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/talentimpulse.cea.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=8951"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}