Caractérisation électrique de matériaux pour la fabrication de Qubit H/F

Description de l'offre : Le CEA-LETI mène actuellement des travaux portant sur le développement de Qubit sur silicium basés sur la technologie FD-SOI. Le Qubit est défini par l'état de spin d'un électron (ou d'un trou) unique piégé sous la grille d'un transistor de type CMOS.  Un paramètre clé pour obtenir des Qubits de qualité est l'environnement électrostatique auquel ils sont soumis.  Une source majeure de perturbations de cet environnement est la qualité de l'interface entre le nanofil de silicium dans lequel l'électron est piégé et l'oxyde de grille du transistor. Le but de ce stage est de comparer différents empilements d'oxydes et matériaux de grille qui seront variés en nature et en épaisseur afin d'identifier quelle combinaison offre la meilleure qualité d'interface. Pour cela vous aurez à réaliser et analyser des mesures électriques pour extraire des grandeurs d'intérêts (mobilité, densité de défauts d'interfaces...) permettant cette comparaison. Une poursuite en thèse cifre est possible.

Présentation de l’institut : Le laboratoire des dispositifs quantiques (LDQ) est composé d'une dizaine de personnes. Son activité couvre le design, la fabrication et la caractérisation électrique de dispositifs semiconducteurs qui servent à former des Qubits de spin.

Profil du candidat : Vous êtes étudiant en master 2 ou en dernière année d'école d'ingénieur dans le domaine de la microélectronique/physique du solide. Des connaissances en physique quantique sont un plus mais ne sont pas obligatoires. Vous maitrisez Python ou Matlab.

Diplome préparé : Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs