CDD - Ingénieur Caractérisation électrique Microélectronique H/F

Description de l'offre : Dans le cadre de vos missions, vous mettez en œuvre des caractérisations électriques avancées de dispositifs CMOS en technologie FDSOI avancée (<28 nm) afin d’identifier les paramètres clés impliqués dans la fonctionnalité et les dégradations et contribuer à l’amélioration des procédés de fabrication. La caractérisation électrique s’appuie sur des mesures standard IV/CV mais aussi sur des mesures dynamiques de type bruit BF, CG(w), pulser IV. Vous êtes en charge de : La caractérisation des dispositifs sur un banc de tests semi-automatique en utilisant des méthodologies de tests développées au laboratoire, L’extraction des paramètres du dispositif les plus importants (Vth, Vfb, Ion, Ioff, DIBL, SCE, EOT, Lg, Rsd …),  La caractérisation fine des interfaces (high-k/film et film/BOX) ainsi que des paramètres de transport des porteurs (mobilité effective, paramètres de scattering),  Du développement d’outils permettant le traitement des données de mesures (Python et gestion database),  L’amélioration du logiciel de tests incluant le développement de routines en langage Python La participation à l’interprétation des résultats, en proposant des modèles basés sur des phénomènes physiques via des simulations TCAD ou semi-analytiques,  La rédaction de rapports d’activité et la présentation des résultats Nous vous proposons d'intégrer un environnement de recherche unique pour une expérience sur une thématique à la pointe de l’innovation. Vous bénéficierez de formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles, d'un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu,  d'un poste au coeur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, d'une rémunération selon vos diplômes et votre expérience, d'un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles, d'une épargne abondée par le CEA. #Nanotechnology

Présentation de l’institut : Le Laboratoire de Caractérisation Electrique et Fiabilité (LCEF) du département Composants Silicium (DCOS) a en charge la caractérisation électrique et de fiabilité des composants provenant des thématiques principales du Leti via nos partenariats industriels ou académiques dans les domaines de la microélectronique, des mémoires avancées, des composants pour la puissance, des microsystèmes. Les composants CMOS et la technologie FDSOI font partie d'une des thématiques cœur du DCOS. Le laboratoire LCEF a besoin de renforcer son équipe sur l'étude et la compréhension de ces dispositifs. En effet dans un contexte de continuelle diminution des dimensions caractéristiques des dispositifs CMOS, il est essentiel comprendre les mécanismes de fonctionnement des transistors et de prédire l'évolution des caractéristiques via des modèles prédictifs.

Profil du candidat : De niveau Ingénieur / Master 2 ou avec un doctorat dans le domaine de la physique des semi-conducteurs, avec une expérience dans le domaine des tests électriques de composants. Une connaissance de la physique des composants CMOS est souhaitée avec des compétences en programmation pour le pilotage des tests et le traitement des données.

Langues : Anglais Courant