CDD - Ingénieur caractérisation électrique photodiodes infrarouges H/F

Description de l'offre : Dans le cadre d’un partenariat industriel, vous réalisez et analysez des tests de photodiodes utilisant un matériau de conversion innovant (quantum dots dans une matrice polymère) pour application infrarouge. Un accent important sera mis sur la réalisation de mesures électro-optiques en condition d’opération produit (<1ms), et l'analyse de leur évolution en cours de vieillissement des pixels (stress électrique, sous flux IR et en température). Les conclusions tirées devront permettre d'établir une cartographie des mécanismes physiques gouvernant les performances ainsi que le vieillissement des pixels, et ainsi aboutir à un modèle de dégradation robuste. Ces résultats seront partagés en continu avec notre partenaire industriel pour aider à la montée en maturité de cette technologie.  Vous serez amené à: développer des procédures de test spécifiques (pilotage de bancs de mesure, implémentation de séquences de tests opto-électriques), préparer et exécuter les tests opto-électriques, formater les données de test pour communication interne et/ou externe, analyser les données de test, apporter des conclusions claires quant aux mécanismes physiques régissant performance et fiabilité des pixels synthétiser les résultats pour les présenter au client industriel mais aussi les valoriser au travers de publications/conférences scientifiques Nous vous proposons d'intégrer un environnement de recherche unique pour une expérience sur une thématique à la pointe de l’innovation. Vous bénéficierez de formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles, d'un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu, d'un poste au coeur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,  d'une rémunération selon vos diplômes et votre expérience,  d'un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,  d'une épargne abondée par le CEA. #Nanotechnology

Présentation de l’institut : Au sein du département des composants silicium (DCOS) du LETI, le laboratoire LCEF (Caractérisation Electrique et Fiabilité) a en charge le test fonctionnel et la caractérisation électrique de dispositifs semi-conducteurs (applications CMOS, puissance, mémoire, imageurs…) réalisés sur wafers 200 ou 300mm dans les salles blanches du LETI ou par nos partenaires industriels. Un parc d'équipements de mesure permet ainsi de rendre compte de la fonctionnalité des dispositifs, de comparer les variantes technologiques et d'analyser en détail les mécanismes physiques gouvernant leur performance et leur fiabilité.

Profil du candidat : De formation supérieure, ingénieur ou doctorat, vous avez une expérience de 1 à 5 ans en caractérisation électrique et/ou analyse de composants semi-conducteurs. Vous possédez une connaissance de la physique des dispositifs et technologies micro et nanoélectroniques indispensable à la pertinence des tests. Un background imageur est également souhaité mais non requis. Vous maitrisez les équipements de caractérisation électrique microélectronique (Station de test électriques sous pointe, colonne optique, analyseur pour mesures courant-tension, capacimètre pour les mesures capacité-tension …),  et vous maitrisez un ou des langages de programmation orientés objet. La maitrise du langage Python est notamment souhaitée.

Langues : Anglais Courant