Développement de contact ohmique transparent sur p-GaN pour l'application μ-LED

Description de l'offre : La Direction de la Recherche Technologique, qui sommes-nous ? Plus de 4.000 personnes investies dans les enjeux sociétaux ! Avec sa Direction de la Recherche Technologique (DRT), le CEA agit comme un accélérateur d'innovation au service de l'industrie pour tous les secteurs d'activités, répondant ainsi aux enjeux liés à notre santé, notre sécurité, nos technologies d'information, notre avenir énergétique. CEA Tech Corporate from CEA Tech on Vimeo. Rejoignez-nous en stage!  Cadre et contexte : Dans le cadre des applications μ-LED à base de GaN, il est critique d'arriver à obtenir des reprise de contact ohmique sur le semi conducteur et en particulier sur la couche dopée p de la structure. En fonction de la configuration du dispositif final, différent type de matériaux et de façon de les déposer peuvent être intéressantes mais il reste critique de s'assurer de la qualité du contact final. Son évaluation se fait généralement via la caractérisation de structures TLM (Transfert Lenght Method).La réalisation de ces structures nécessite une succession de plusieurs étape de dépôt, lithographie, gravure et nettoyage en salle blanche. Ces microstructures sont ensuite mesurées électriquement. La caractérisation d’un échantillon TLM correspond à la mise en oeuvre de nombreuses mesures I-V (courant-tension) entre différents plots de contact. Ce stage se place dans le cadre des études contact métallique sur GaN de dopage type p. Ce semi-conducteur est utilisé pour des applications μLED. La fabrication s’effectuera en parallèle dans la salle blanche 200 mm et sur la plateforme photonique du CEA-LETI. Différents process de dépôts PVD (Physical Vapor Deposition) de TCO (Oxyde conducteur transparent) seront comparés au cours de cette étude.

Présentation de l’institut : Le stage se déroulera au seins des services dépôts et plateforme photonique de la plateforme technologique salle blanche

Profil du candidat : Travail demandé : • Recenser par une étude bibliographique l’état de l’art sur les contacts sur GaN • Faire une comparaison des différents TCO utilisés pour l’étude • Suivre en salle blanche la fabrication des structures TLM. L’étudiant sera l’opérateur pour la réalisation d’un grand nombre de ces étapes • Contribuer à la mesure des structures TLM sur prober • Effectuer le reporting des résultats auprès des différents services impliqués Le stage s’effectuera au sein des services Matériaux et Technologie pour la Photonique du département des plateformes technologiques. Vous êtes curieux et autonome sortant d’une école d’ingénieur ou d’un master en microélectronique, chimie ou physique. Vous serez formé sur de nombreux procédés de la microélectronique, une expérience qui sera valorisable pour la recherche d’un emploi ou d’une thèse par la suite. Avoir une expérience de la salle blanche et/ou de la caractérisation électrique d'échantillon sera un atout valorisable. Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles ! Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons : Un environnement unique de recherché dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels. Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel, Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité, De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre alternance Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, Un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu, Une épargne entreprise abondée par le CEA, Une politique diversité et inclusion, Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles. Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques

Langues : Anglais Courant