Dispositifs ultimes à désertion totale sur substrat isolant pour applications en radio fréquence

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La thèse sera effectuée dans le cadre du projet NEXTGEN visant à développer la prochaine génération de dispositifs en silicium sur isolant pour les futures technologies CMOS afin de renforcer la compétitivité européenne dans le secteur de la microélectronique. Notre laboratoire est chargé dapos;explorer, de planifier, et de piloter le développement des dispositifs actifs RF: capos;est une formidable opportunité de mener de la recherche en utilisant des instrumentations a l’état de l’art tout en travaillant en étroite collaboration avec nos partenaires industriels. Pendant votre séjour au CEA-LETI, vous vous attendrez à vous engager dans une gamme de tâches dapos;ingénierie qui peuvent comprendre: - Effectuer une estimation analytique des propriétés des dispositifs et évaluer lapos;impact des choix technologiques sur les performances des dispositifs electroniques - Effectuer et/ou analyser des simulations pour prédire la performance attendue ou obtenir des informations sur le comportement des dispositifs. - L’exploration de données sur une vaste gamme de mesures : saisir les informations pertinentes et identifier les tendances ou les corrélations - Quand nécessaire, passer de longues périodes dans le laboratoire pour effectuer ou participer à des campagnes de caractérisations de dispositifs RF. En fonction des attendus ou de votre profil, les sujets pourront être discutés dynamiquement.

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