Ingénieur en simulation TCAD de dispositifs de puissance H/F

Description de l'offre : Dans le cadre de vos missions, vous accompagnez les développements de transistors à effet de champs de puissance utilisant des matériaux de type nitrure de gallium (GaN) sur silicium (Si). Les applications visées sont la gestion et la conversion d’énergie et les télécommunications. Ainsi dans un objectif de développement de futures technologies pour l’électronique de puissance, vous mettez en place un ensemble de méthodologies permettant de simuler, d’étudier et d’anticiper le comportement électrique de ces futurs transistors. Ce travail se positionne donc en phase préliminaire de démonstrateurs technologiques. Vous prenez en main les précédents développements, évaluez les limitations des codes existants et proposez des améliorations en regard des données expérimentales disponibles et des résultats publiés dans la littérature. Vous définissez ensuite les spécifications des dispositifs à simuler telles que les courants à l’état passant, la tenue en tension et/ou les fréquences de coupure. Ces définitions de spécifications se font en étroite collaboration avec les ingénieurs d’intégration technologique. Enfin, vous optimisez virtuellement l’architecture du dispositif afin de répondre aux spécifications définies précédemment. Ce poste requiert de nombreuses interactions avec différentes équipes, en charge de l’intégration technologique, de la caractérisation électrique et de la simulation numérique. Pourquoi nous rejoindre? Nous vous proposons d'intégrer au travers de ce poste un environnement de recherche unique pour une expérience sur une thématique à la pointe de l’innovation. Vous bénéficierez : • de formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles, • d'un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu, • d'un poste au coeur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, • d'une rémunération selon vos diplômes et votre expérience, • d'un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles, • d'une épargne abondée par le CEA. #NumericalSimulation #Nanotechnology

Présentation de l’institut : Le Laboratoire de Simulation et de Modélisation (LSM) accompagne le développement des technologies du CEA-Leti avec un cœur d'activité centré sur les dispositifs de type transistor et cellule mémoire. En amont de la phase de support aux développements technologiques, nous participons à l'optimisation des architectures et des procédés, et à l'évaluation prédictive des technologies développées. Nous intervenons à la croisée des activités d'intégration technologiques, de la caractérisation physique et électrique, de la mise en place de PDK (Process Design Kit) et de la conception de circuits intégrés. Nous mettons en œuvre des expertises en simulation de matériaux, de procédé, de dispositifs et en modélisation compacte. La simulation numérique de type TCAD (Technology Computer-Aided Design) est une activité extrêmement importante dans le processus de développement et d'optimisation des technologies micro et nanoélectroniques. Elle se complète de façon indispensable à la caractérisation électrique de dispositifs. Le développement de ces compétences permet notamment l'élargissement de la valorisation des technologies développées au Leti et permet d'asseoir la capacité du Leti à accompagner ses collaborateurs internes et externes dans l'adoption des nouvelles technologies pour leurs applications.

Profil du candidat : Ingénieur micro et nanoélectronique, physique du dispositif, simulation et modélisation, vous êtes titulaire d'un doctorat en micro-nanoélectronique.