Intégration de siliciure de titane dans les futures générations de transistors basse consommation

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Dans le contexte ultra concurrentiel de l’industrie des semi-conducteurs, le CEA travaille sur le développement de transistors très basse consommation et très performants pour l’industrie européenne. Ces transistors sont appelés FD-SOI. La thèse proposée se déroulera au sein du CEA-LETI, reconnut mondialement pour son expertise dans le domaine du FD-SOI. Au sein du LETI, vous intégrerez une équipe de 6 à 7 personnes travaillant sur les siliciures. Votre objectif : développer le siliciure de demain et comprendre la meilleure façon de l’intégrer dans le process de fabrication des transistors. Le siliciure, un alliage entre un métal et le silicium, est un élément clé d’un circuit électronique car il permet de faire le lien entre la partie passive (fil de connexion) et la partie active (transistor). Afin de réduire la consommation de ces circuits, il est impératif de réduire la résistance de cet alliage au passage du courant. Pour cela, vous devrez étudiez les phases cristallines, la résistivité et la stabilité thermique de ces alliages à l’aide de techniques de caractérisation telles que la diffraction de rayons X, la microscopie électronique ou les mesures électriques en collaboration avec des experts de ces domaines. Des expériences de diffraction X sur synchrotron (Très Grand Instrument de Recherche) comme l’ESRF sur Grenoble pourront être aussi envisagées. Vous travaillerez aussi à développer de nouvelles approches d’intégration de ces siliciures au sein d’un process de fabrication complexe (traitement thermique, implantation, dépôt…). Enfin, vous aurez l’opportunité de caractériser électriquement l’impact des différentes intégrations de siliciure sur les performances des transistors.

Bac+ 5 en physique des matériaux et des semiconducteurs

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