Stage - Master2 - 6mois - Grenoble H/F

Description de l'offre : La Direction de la Recherche Technologique, qui sommes-nous ? Plus de 4.000 personnes investies dans les enjeux sociétaux ! Avec sa Direction de la Recherche Technologique (DRT), le CEA agit comme un accélérateur d'innovation au service de l'industrie pour tous les secteurs d'activités, répondant ainsi aux enjeux liés à notre santé, notre sécurité, nos technologies d'information, notre avenir énergétique. CEA Tech Corporate from CEA Tech on Vimeo. Rejoignez-nous en stage de master2, puis en thèse !  Intitulé du stage : Réalisation de grilles MOSFET au noeud sub-10nm sur FDSOI Cadre et contexte : Dans le cadre du projet NextGen et du ChipACT Européen permettant d’assurer la souveraineté et la compétitivité de la France et de l’Europe en matière de nano-composants électroniques, le CEA-LETI lance la conception de nouvelles puces FD-SOI. Déjà présents au quotidien dans le secteur de l’automobile ou des objets connectés, les transistors FD-SOI 28-18nm sont produits en grand volume par des fondeurs de la microélectronique tels que STMicroelectronics, ou Samsung. Cette technologie se base sur une architecture innovante permettant la réalisation de transistors plus rapides, fiables et moins énergivores que les transistors sur substrats massifs. Le passage au nœud de 10nm permettra d’améliorer les performances de cette technologie tout en étant compatible avec les enjeux de sobriété énergétique et les défis de la miniaturisation. Le transistor à effet de champ FET (« Field-Effect Transistor ») au nœud 10nm nécessite un empilement de couches complexes de type silicium/isolant high-k/métal conduisant au contrôle des porteurs de charges dans le canal par un champ électrique transverse. Bien que l’ajout du diélectrique high-k diminue les courants de fuite, son utilisation couplée aux défis de miniaturisation induisent de nouvelles difficultés sur le comportement électrique du dispositif liées à l’hétérogénéité des matériaux constituant l’empilement de grille. Pour tenter de résoudre ces difficultés, nous nous focalisons sur un assemblage incluant le dépôt de films métalliques extrêmement minces sur high-k et permettant un ajustement de la tension de seuil des transistors. Afin d’étudier ces couches et réaliser les dépôts métalliques, le CEA-LETI s’équipe d’un équipement PVD de co-pulvérisation muti-cathodes sur tranche de silicium 300mm. Il permettra de réaliser des alliages et couches métalliques complexes ajustés en composition avec un contrôle de l'épaisseur à l’échelle de l’atome. Lien utile : https://www.youtube.com/watch?v=jDhLOqoIgAk

Présentation de l’institut : A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nano technologies, technologies de l'information et de la santé Interface privilégiée du monde industriel et de la recherche académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés via des programmes de recherche utilisant nos plateformes technologiques.

Profil du candidat : Qu’attendons-nous de vous ? Vous préparez un diplôme de niveau ingénieur ou universitaire master 2 dans le domaine matériaux ou électronique des semiconducteurs, physique du solide, science des surfaces, science des plasmas. Vous êtes reconnu pour votre rigueur, voua avez le goût de l'expérimentation, et votre motivation est à tout épreuve. Vous avez avis de connaitre le monde la recherche.  Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles ! Après avoir fait l’étude bibliographique du sujet, vous serez amenés à travailler dans les salles blanches du CEA LETI où vous réaliserez vos dépôts métalliques sur un équipement de pulvérisation cathodique 300mm. Vous assurerez les caractérisations structurales et physico chimiques (XRD, XRR, XPS et TEM) des couches obtenues en complémentarité avec la plateforme de nanocaractérisation du LETI où vous vous appuierez sur l’expertise des techniciens et ingénieurs. Ces résultats seront corrélés avec des tests électriques, notamment C(V), sur des condensateurs élémentaires permettant d’appréhender les mécanismes métallurgiques. Ils seront, si possible, mis en relation avec des résultats de simulation atomistique (interaction high k/métaux). Ce sujet de stage évoluera vers une thèse où l’étudiant aura, lors de son stage, déjà appréhendé le travail en salle blanche et été formé sur les équipements de caractérisations et de dépôt permettant de mener à bien son doctorat.  Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons : Un environnement unique de recherché dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels. Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel, Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité, De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre alternance Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, Un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu, Une épargne entreprise abondée par le CEA, Une politique diversité et inclusion, Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles. Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques