Le CEA Grenoble fait partie des rares laboratoires à avoir démontrer des lasers semi-conducteurs du groupe-IV en GeSn en pompage électrique, à basse température émettant dans l'infrarouge moyen. Avec des hétérostructures en GeSn et des puits quantiques en alliages silicium-germanium-étain (Si) GeSn (relaxé ou non relaxé), nous ciblons aujourd'hui d’aller vers le laser continu et d’augmenter leurs températures de fonctionnement et à terme de les fabriquer dans notre ligne pilote microélectronique 200 mm. Pour augmenter le fonctionnement du laser en température, il faut améliorer le gain optique et optimiser le confinement des porteurs. Ces améliorations nécessiteront de nouvelles configurations de puits quantiques et de hétérojonctions en germanium étain, en jouant sur les compositions atomiques et la déformation mécanique à l'échelle microscopique. Vous vous associerez aux permanents de l'équipe pour caractériser, sur un banc optique moyen infra-rouge, ces nouveaux matériaux et ces sources lumineuses, en vue de leur future intégration sur une plateforme photonique Germanium/Silicium. Avec ces nouveaux composants du groupe-IV, vous évaluerez également la faisabilité de détection de gaz dans une gamme de concentrations de quelques dizaines à quelques milliers de ppm. Le stage pourra se poursuivre par une thèse.
Le CEA / LETI (Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information) à Grenoble est un des centres de recherche technologique leaders mondiaux en matière de NTIC (Nouvelles Technologies de l'Information et de la Communication). Sa mission première est de développer des solutions innovantes dans ses différents domaines de compétences, et de les transférer à l'industrie dans le cadre de partenariats industriels afin de répondre aux besoins de marchés à forte croissance. Au sein du CEA/LETI, le département Optique et Photonique (DOPT) est chargé des recherches, des études et du développement dans les domaines d'application de l'optronique. Le LCO (Laboratoire des Capteurs Optiques) développe à la fois des composants de photonique intégrée sur silicium du visible au moyen-infrarouge (sources, guides d'onde, détecteurs), et des capteurs et systèmes innovants. De la recherche technologique amont jusqu'aux transferts industriels, ces capteurs trouvent des applications dans les domaines de l'environnement, de la santé et du domaine sécurité/défense.
Vous êtes étudiant(e) en M2 ou dernière année d’école d’ingénieur, spécialisé(e) en physique et plus particulièrement en physique fondamentale des milieux semi-conducteurs / photonique / micro et nanotechnologies. Les principales compétences techniques requises au poste sont: connaissances en semi-conducteurs, et optoélectronique, connaissance du travail en laboratoire. Vous êtes reconnu(e) pour votre dynamisme, votre rigueur votre curiosité et votre capacité à travailler en équipe et à être force de proposition. Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons : Un cadre de recherche unique, dédié à des projets ambitieux au service des grands enjeux sociétaux, Un environnement de travail high-tech et des équipements de recherche à la pointe de l’innovation, Un campus au cœur de la métropole, facilement accessible en mobilité douce, Un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu, Une participation aux frais de restauration, de transport et de logement (sous conditions), Des encadrants bienveillants, passionnés et ayant l’envie de transmettre, Une politique diversité et inclusion, De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage. Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques
Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs
Anglais Courant
Talent impulse, le site d’emploi scientifique et technique de la Direction de la Recherche Technologique du CEA
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