Ingénieur Technologue filière III-V H/F

Description de l'offre : Le candidat sera au cœur des développements des architectures des composés III-V, compatibles aux fonctions devices et à leurs réalisations. Son activité se focalisera en particulier dans le cadre de la fabrication et des développements des procédés associés à cette filière. Pour chaque projet, il sera en mesure de proposer le design-device-III-V/fab et de mettre en place les process-flow adéquates à l’ensemble des étapes de fabrication : photolithographie, dépôts de couches minces -diélectriques et métaux-, gravures sèches et humides, recuits, CMP, ainsi que les caractérisations de premier niveau (MEB, profilométrie, ellipsométrie...). Le candidat pilotera la fabrication traitée principalement par une petite équipe de technicien, mais sera également en mesure de réaliser des opérations technologiques. La cogestion de quelques équipements process sera associée au poste. Le candidat synthétisera ses travaux et il sera amené à les présenter à l’ensemble des partenaires du projet. Une attention particulière sera apportée au caractère innovant de ces développements et à la rédaction de Notes Techniques, publications et brevets.

Présentation de l’institut : Le LITP dispose de moyens technologiques de fabrication en salles blanches nécessaires aux traitements d'échantillons de dimensions variables (X.cm2 à 150 mm) et/ou de natures non standards. Cette plateforme ‘souple' permet d'adresser un large éventail de filières aux procédés innovants compatibles aux matériaux II-VI, III-V et SiC. Le LITP traite ainsi des composés semi-conducteurs pour des dispositifs de très hautes performances dans les domaines de la détection infrarouge, de l'éclairage, des écrans de visualisation, de la photonique intégrée sur Si ou de l'électronique de Puissance. Dans le cadre de ses activités dans le domaine de la fabrication de dispositifs à base de semi-conducteurs composés (II-VI, III-V et III-Nitrure), le LITP doit renforcer sa filière « Photonique III-V»et Puissance. Ces activités concernent en premier lieu les dispositifs à base de matériaux GaN, dont les applications visent des composants de type µ-LED ou de puissance. Ces objets sont développés principalement pour les domaines des écrans ou convertisseurs de puissance. Cette filière, réalisée sur substrat Saphir et Silicium, se développe conjointement avec les experts matériaux épitaxie III-N du service. Ces sujets ‘poussent' dans le cadre de projets institutionnels, et rejoignent des partenariats industriels et Start-up du domaine, nationaux ou internationaux.

Profil du candidat : De formation ingénieur ou docteur en physique ou chimie des matériaux ou équivalent, le candidat aura une expérience dans les procédés de fabrication de la microélectronique ainsi que sur la physique des semi-conducteurs. Il aura à conduire et à réaliser la fabrication de dispositifs en salles-blanches, tout en encadrant des techniciens Supérieurs spécialistes du domaine. Ses travaux seront en interaction avec les Chefs de projets composants des départements applicatifs du LETI (DOPT et DCOS). Les connaissances/expériences de la photonique/puissance et des III-V seront un grand plus. Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons : Un environnement unique de recherché dédié à des thématiques à fort enjeu sociétal, Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles, Un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu,  L’accès à une épargne abondée par le CEA, Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, Une rémunération selon vos diplômes et votre expérience, Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,  Une politique diversité et inclusion : Engagés depuis plus de 30 ans dans l’inclusion et le maintien dans l’emploi des personnes en situation de handicap, nos postes sont ouverts à toutes et tous. Nous avons hâte de vous accueillir dans notre équipe !