Compréhension et optimisation de la robustesse électrothermique des dispositifs de puissance avançés en SiC

Description de l'offre : Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur aux propriétés intrinsèques supérieures à celles du silicium pour les applications électroniques à haute température et à forte puissance. Il est anticipé que les dispositifs en SiC soient largement utilisés dans la transition vers lapos;électrification et les nouvelles applications de gestion de lapos;énergie. Pour exploiter pleinement les propriétés supérieures du SiC, les futurs dispositifs semi-conducteurs seront utilisés dans des conditions de polarisation et de températures extrêmes. Ces dispositifs doivent fonctionner en toute sécurité à des densités de courant, des dV/dt et des températures de jonction plus élevées que les dispositifs en Si. Lapos;objectif de cette thèse est dapos;étudier les dispositifs SiC fabriqués au LETI dans ces conditions de fonctionnement extrêmes, et dapos;optimiser leur conception pour utiliser pleinement le potentiel théorique du SiC. Le travail de thèse comprendra plusieurs phases qui seront fortement couplées : Un volet caractérisation electro-thermique avancée (50%), en proposant de nouvelles approches de tests sur composants en boitier ou sur support adapté, en utilisant des outils d’intelligence artificielle (IA) pour l’extraction et le traitement des données. La travail inclura une adaptation des méthodologies de mesures standard aux spécificités de commutation du SiC. Une évaluation (15%) des paramètres de conception et technologiques responsables des limites de fonctionnement des composants Un volet caractérisation physico-chimique (15%) pour lapos;analyse des défaillances sous ces conditions extrêmes Un volet dapos;inclusion de modèles prédictifs (20%) de sensibilité des architectures aux conditions extrêmes et aux défauts basée sur la modélisation.

Profil du candidat : BAC + 5 électronique