Nous rejoindre, pour quoi faire ? Les imageurs infra-rouges refroidis, utilisés pour les applications haute performance de défense, observation de la Terre depuis l’espace et en astronomie, montrent aujourd’hui de telles performances que leur utilisation à haute température devient envisageable. Pour atteindre cet objectif, l’activité des défauts dans la couche absorbante de l’imageur et plus particulièrement ceux localisés proches de la photodiode collectant les charges photo-générés doit être comprise et maitrisée. Ce stage propose de mettre en application une nouvelle méthode de caractérisation de ces défauts directement sur des détecteurs finaux. Un peu comme la persistance rétinienne, les imageurs infra-rouges sont comme éblouis après avoir reçu une forte illumination ou un changement brutal de tension appliquée, c’est la persistance. La méthode proposée est de stimuler cet effet afin d’en exacerber les effets pour les analyser. La persistance étant lié à l’activité des défauts dans l’imageur, la méthode permettrait de remonter à leurs propriétés physiques et au final d’identifier des solutions technologiques pour les limiter. Des premières preuves de concept ont été démontrées avec cette méthode, mais de nombreuses inconnues subsistent quant aux paramètres de mesure et d’analyse. L’objectif de ce stage est donc d’explorer les limites de ce nouveau moyen de caractérisation grâce notamment à la comparaison sur plusieurs types d’imageurs réalisé avec des couches absorbantes ou des architectures de lectures différentes.
Au sein du Département Optique et PhoTonique (DOPT) du CEA LETI, le Laboratoire d'Imagerie « InfraRouge » (LIR) développe les nouvelles générations de détecteurs « infrarouge » refroidis sur les matériaux semi-conducteurs II-VI et III-V, dans le cadre d'un laboratoire commun avec notre partenaire industriel LYNRED, leader mondial en détecteurs IR. Dans ce laboratoire de 26 personnes (16 permanents, 2 CDD OD, 2 alternants et 6 doctorants), les principales activités sont : - la conception et du développement des capteurs d'image ; - la conduite de projets ; - l'architecture composant ; - la caractérisation des imageurs infrarouges refroidis.
Qu’attendons-nous de vous ? Vous êtes en master ou en école d’ingénieur dans le domaine de la physique et des semi-conducteurs, vous avez envie d’une expérience dans le monde de la recherche appliquée. Vous évoluerez dans un laboratoire de caractérisation, des compétences en physique du semi-conducteur, en optique et un attrait certain pour l’expérimentation sont conseillés pour vous épanouir dans ce stage. Vous êtes reconnu(e) pour votre rigueur expérimentale, votre capacité d’analyse des données, votre bonne compréhension des phénomènes physiques, et votre sens de l’organisation. Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons : Un cadre de recherche unique, dédié à des projets ambitieux au service des grands enjeux sociétaux, Un environnement de travail high-tech et des équipements de recherche à la pointe de l’innovation, Un campus au cœur de la métropole, facilement accessible en mobilité douce, Une participation aux frais de restauration, de transport et de logement (sous conditions), Des encadrants bienveillants, passionnés et ayant l’envie de transmettre, Une politique diversité et inclusion. Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques.
Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs
Anglais Intermédiaire
Talent impulse, le site d’emploi scientifique et technique de la Direction de la Recherche Technologique du CEA
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