Matériaux dapos;électrode avancées par ALD pour les composants ioniques

Description de l'offre : L’objectif principal des travaux de thèse est de développer des couches conductrices par la technique ALD (Atomic Layer Deposition) à très faible épaisseur (lt;10nm) avec des fonctionnalités d’électrodes (très faible résistivité lt;mOhm) pour la fabrication des capacitors ioniques à très haute densité d’énergie (structures complexes avec un rapport dapos;aspect 1:100). Lapos;une des actions principale tachera dapos;explorer les phénomènes régissant les interfaces qui peuvent se former entre les couches dapos;électrodes et les couches ioniques impactant de ce fait la croissance par ALD ainsi que les caractéristiques électriques de ces couches dapos;électrode. L’un des challenges de ce travail de thèse consistera à adapter ces couches a des structures 3D à fort aspect ratio (gt;100). L’autre challenge vise à réduire l’épaisseur des couches à moins de 5nm tout en préservant les propriétés électriques très avancées (résistivité de quelques mOhm). Le travail de thèse comporte plusieurs aspects incluant le procédé et les précurseurs ALD, la caractérisation des couches intrinsèques (physico-chimiques, électrochimique et morphologique) ainsi que l’intégration en dispositif 3D.

Profil du candidat : matériaux, microélectronique, couches minces