Caractérisation DLTS sur matériaux semiconducteur à grand gap

Description de l'offre : Votre mission consistera à mettre en œuvre des caractérisations électriques de spectroscopie de pièges (DLOS, DLTS, admittance) sur les matériaux et dispositifs à grand gap. Elle se situe dans le cadre élargie de collaborations récentes avec des laboratoires universitaires, et fait suite à des premiers travaux qui ont permis de développer une même architecture de test sur différents sites. Ce travail de post doc devra dans un premier temps permettre la finalisation des bancs de mesure développés pour ces caractérisations DLTS et DLOS en s’assurant de leur maîtrise (contrôle en température, transitoires de capacité, spectroscopie lumineuse, ...). Outre la maîtrise de la mesure, lapos;interprétation des résultats requiert une bonne connaissance de l’état de l’art et un temps suffisant sera dédié à son approfondissement. Les études qui seront ensuite menées dans ce cadre se feront sur plusieurs matériaux à grand gap et d’abord sur SiC. Ce sujet se prête largement à la valorisation des résultats par publication. En parallèle de cette technique, le cadre collaboratif pourra initier une thèse sur la même perspective dapos;analyse de défauts et le post doc pourra participer à lapos;encadrement de ces recherches.

Profil du candidat : doctorat en physique des matériaux