Chef de projet technique GaN H/F

Description de l'offre : Notre laboratoire a pour ambition de faire du Leti le premier institut de recherche technologique développant des architectures de puissance en GaN sur une ligne 300mm, adressant entre autres les conversions de puissance à haute efficacité pour les datacenters. Dans cette optique, le laboratoire souhaite renforcer son équipe GaN avec un nouvel ingénieur pouvant à la fois assurer des missions de Chef de Projet avec des contributions au développement de dispositifs puissance GaN. Au sein du laboratoire LAPS d'une vingtaine d’ingénieurs-chercheurs pluridisciplinaires et en lien avec les laboratoires de test et de simulations, votre activité sera liée au pilotage et à la contribution technique d’un projet industriels sur des dispositifs de puissance GaN de type transistors et diodes (analyse, dimensionnement, optimisation) dans le nouveau format 300mm. Plus particulièrement, vous serez en charge du pilotage d’un projet industriel, de la planification en interne des taches, la gestion des risques, de l’animation de l’équipes projet et de l’interface avec la plateforme silicium.   Vous serez également en charge de la communication interne comme externe, et vous veillerez à l’atteinte des objectifs et livrables du projet. Coté opérationnel, votre rôle de responsable device GaN sur le projet comportera des tâches de dimensionnement de nouveaux composants GaN innovants, en tirant profit des technologies 300mm, d’analyses des mesures électriques des composants Leti (lots fonctionnels, et véhicules de test), et de validation de nouveaux concepts. Le retour sur les performances électriques des prototypes process/modules alimentera les projets industriels et la roadmap. Vos principales activités seront les suivantes : -          Planification et suivi des tâches du projet, animation de l’équipe projet. -          Analyses et gestion des risques et élaboration de plan de contingence. -          Gestion du  planning et des ressources engagées -          Interface et reporting auprès de l’interface technique du client industriel. -          Validation des plans des lots technologiques GaN 300mm (en lien le responsable composants, le Responsable Intégration Filière, les experts procédés et l’équipe projet) : définition des plans de test ; des choix technologiques, des plans d’expériences, réalisation des tests électriques (en lien avec le laboratoire caractérisation électrique) -          Contributions au traitement et analyse des résultats ; synthèses des résultats process et des tests électrique ; gestion documentaire et capitalisation des résultats de test -          Présentation des résultats à l’équipe projet et au client industriel -          Communication en interne et externe, rédaction des faits marquants, et des publications le cas échéants. -          Atteinte des objectifs projets et validation formelle des livrables par le client selon le planning défini.

Présentation de l’institut : Le laboratoire des composants de puissance à semiconducteur (LAPS) est spécialisé dans le développement de composants de puissance en matériau semi-conducteur à large bande interdite, parmi lesquels le nitrure de gallium GaN. Ces composants ont des applications en électronique de puissance car ils peuvent être utilisés à plus haute température et à plus forte puissance que les composants à base de silicium. Le LETI est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ce type de composants. Nos équipes collaborent avec des acteurs majeurs du domaine avec la mise en place de lignes pilote de fabrication au niveau européen, et avec des fabricants de composants GaN, comme STMicroelectronics. Le LETI dispose également d'une plateforme technologique R&D 300mm unique à l'état de l'art.

Profil du candidat : De formation supérieure (ingénieur et/ou docteur) dans le domaine de la micro-électronique avec une très bonne connaissance des technologies de fabrication salle blanche, vous justifierez d’une première expérience dans une mission de R&D en composants, si possible dans le domaine du GaN, de la conception de composants et de la caractérisation électrique. Votre anglais est courant. Votre capacité à travailler en équipe autour d'un projet pluridisciplinaire, votre rigueur technique, organisationnelle et méthodologique, et vos excellentes capacités de communication assureront votre réussite à ce poste. Une expérience en gestion de projet est un plus. Pourquoi venir au CEA ? Un écosystème de recherche à la pointe, unique en son genre et dédié à des thématiques à fort enjeu sociétal, Des activités porteuses dans un contexte économique favorable, Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles, Un équilibre vie privée/ vie professionnelle reconnu, Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, Une rémunération selon vos diplômes et votre expérience, Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles, Une politique diversité et inclusion. Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs en situation de handicap.

Langues : Anglais Courant