CDD - Ingénieur en caractérisation électrique et fiabilité de dispositifs RF H/F

Description de l'offre : Votre travail porte principalement sur l'étude de la fiabilité DC des transistors bipolaires d'une technologie industrielle BiCMOS. Il est réalisé en étroite collaboration avec notre partenaire industriel STMicroelectronics. Votre travail s’effectue à différents niveaux. Il consiste d'abord en une étude systématique des instabilités des dispositifs par rapport à plusieurs variantes du procédé (profils de jonction de la base et du collecteur, isolation par tranchée, etc.). Les échantillons sont essentiellement fournis par notre partenaire. Ensuite, l'auto-échauffement des dispositifs est étudié, ainsi que son impact sur ces instabilités. Enfin, le rôle joué par ces instabilités sur les caractéristiques de bruit des dispositifs est abordé. Vous utilisez les procédures de test déjà développées au sein du laboratoire de caractérisation électrique du LETI. Cette tâche peut être accompagnée de simulations TCAD, qui sont utiles pour comprendre quels défauts peuvent être responsables de ces instabilités. Vous faites partie du Laboratoire des Transistors Avancés (LTA). Plus largement, vous êtes en charge de : La caractérisation électrique des dispositifs bipolaires à l'aide de bancs de test dédiés, Le développement de nouvelles méthodes de caractérisation permettant une meilleure compréhension des instabilités observées dans ces transistors, Un reporting régulier aux équipes de projet et à notre partenaire industriel, afin d'interpréter les résultats obtenus et de proposer des leviers d'amélioration des composants. Pourquoi rejoindre notre équipe ? Nous vous proposons : Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel, Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles, Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%, Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu, Une politique diversité et inclusion, Des restaurants d'entreprise, Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles, Une épargne abondée par le CEA.

Présentation de l’institut : La technologie BiCMOS est très prometteuse pour les applications 5G et futures 6G, car elle intègre des transistors bipolaires pour les fonctions RF, telles que l'amplification de puissance, avec des transistors CMOS pour les fonctions de contrôle. Cependant, pour la 6G, le transistor bipolaire est poussé à ses limites, ce qui peut poser des problèmes de fiabilité. En particulier, des instabilités des dispositifs sont parfois observées, déclenchées par le fort courant de stress traversant le transistor. Ces instabilités affectent les caractéristiques de bruit du transistor, qui sont cruciales pour certaines applications RF. Dans ce contexte, il devient urgent de comprendre les causes profondes de ces instabilités et d'identifier les ajustements technologiques pouvant être apportés pour les éliminer, garantissant ainsi le respect des normes de performance et de fiabilité.

Profil du candidat : Formation initiale Diplôme d’ingénieur (Bac +5) ou Doctorat (Bac +8) avec une solide expérience dans le domaine de la physique des semi-conducteurs, la caractérisation électrique des dispositifs bipolaires ou CMOS, et si possible, une bonne connaissance des mécanismes de fiabilité. Une expérience en modélisation TCAD serait un plus. Compétences techniques Connaissance de la physique des semi-conducteurs, Caractérisation électrique DC de transistors bipolaires et MOS, Bon niveau en anglais (reporting et présentations). Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous !

Langues : Anglais Courant