Co-Optimisations de Conceptions et Technologies (DTCO) pour les applications RF millimétriques: utilisation de lapos;intégration homogène et hétérogène puce à plaque par collage hybride

Candidater

Ces dernières années ont été lapos;objet de nombreuses avancées technologiques dans les semi-conducteurs à base de silicium; néanmoins les limites en termes de performances fréquentielles et de puissance semblent atteintes et imposent le développement de nouveaux composants type III-V (telles que InP et GaN) plus rapides et plus puissants pour les applications RF millimétriques. Pour des raisons de flexibilité, de performances et de coûts, il est primordial de co-intégrer ces nouveaux composants hautes-performances III-V avec les filières plus classiques silicium : capos;est un des objectifs majeurs du sujet proposé. Les deux années de formation par la recherche proposées seront principalement lapos;objet de conceptions et d’optimisations de circuits RF millimétriques tirant partie de la technologie dapos;assemblage 3D hétérogène puce à plaque collage hybride. De nombreux véhicules de tests ont été réalisés et caractérisés ces dernières années et ont permis de montrer les avantages et inconvénients de lapos;assemblage puce à plaque collage hybride pour les applications RF millimétriques. Il sapos;agit donc de prolonger ces travaux et de focaliser les études et recherches sur des systèmes RF réels de type amplificateur de puissance millimétrique. Lapos;approche DTCO (Design and Technology Co-Optimisations) permettra non seulement de concevoir des circuits 3D-RF efficaces, mais aussi des réaliser des ajustements des différentes règles de conception 3D, et ainsi de rendre la technologie dapos;assemblage 3D par collage hybride pertinente pour la réalisation de systèmes intégrés 3D RF millimétriques.

Design RF millimétriques, composants RF millimétriques

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