Développement du module de grille pour transistors de puissance verticaux en GaN

Description de l'offre : Ce sujet de thèse offre une opportunité unique dapos;améliorer vos compétences en dispositifs de puissance GaN et de développer des architectures innovantes. Vous travaillerez aux côtés dapos;une équipe multidisciplinaire spécialisée dans lapos;ingénierie des matériaux, la caractérisation, la simulation de dispositifs et les mesures électriques. Les composants de puissance GaN verticaux sont très prometteurs pour les applications de puissance au-delà de la plage du kV. Des transistors avec une architecture apos;trench MOSFETapos; ont été démontrés dans lapos;état de lapos;art avec des résultats encourageants. Lapos;empilement de grille de ces dispositifs est un élément clés car il impacte directement leur résistance à lapos;état passant, la tension de seuil et le signal de commande à appliquer dans un convertisseur de puissance. Lapos;étude proposée se concentrera sur le développement dapos;empilements de grille innovants capables de supporter des tensions élevées tout en maintenant une tension de seuil et une mobilité de canal à lapos;état de lapos;art avec un minimum de piégeage diélectrique. Le travail impliquera lapos;étude de lapos;impact des paramètres de procédés de fabrication sur les caractéristiques électriques. Une attention particulière sera à accorder à lapos;optimisation de la géométrie de la grille par des simulations TCAD pour étudier lapos;impact sur lapos;état passant et le claquage. Les améliorations identifiées seront intégrées aux dispositifs fabriqués sur notre ligne de composants de puissance GaN 200mm. Le travail se déroulera au sein du laboratoire des composants de puissance et sera soutenu par plusieurs projets en cours.

Profil du candidat : Ingénieur ou Master 2 - physique des composants microélectroniques