Développement et caractérisation de mémoires embarquées à base de transistors ferroélectriques pour applications neuromorphiques

Description de l'offre : Evoluant au sein d’une équipe mondialement reconnue dans le domaine des mémoires ferroélectriques, l’étudiant.e sera amené.e à travailler sur le développement et l’optimisation de transistor FeFET avec canal en oxyde amorphe semiconducteur pour application neuromorphique et calcul proche mémoire. Un regard particulier sera porté sur le rôle des lacunes d’oxygène, gouvernant à la fois les propriétés ferroélectriques du HfZrO2 et de conduction de l’oxyde semi-conducteur, et imposant d’importantes contraintes sur les étapes de fabrication. L’étudiant.e s’appuiera sur une large gamme de composants élémentaires en cours de développement dans le cadre d’un projet industriel et sur les moyens de caractérisation physique et électrique du LETI. En fonction de son profil et de ses affinités pour l’intégration des procédés de fabrication, la caractérisation électrique, la physique du dispositif et la simulation, l’étudiant.e pourra affiner le barycentre des travaux de la thèse.

Profil du candidat : physique du dispositif, physique du semi conducteur, physique des matériaux