Evaluation des performances et fiabilité des mémoires ferroélectriques à base dapos;oxyde dapos;hafnium pour une intégration vers les nœuds avancés

  • Nano-caractérisation avancée,
  • Doctorat
  • Grenoble
  • BAC+5
  • 2024-09-01
  • MARTIN Simon (DRT/DCOS//LCEF)
Candidater

Une explosion de la production mondiale de données est observée aujourd’hui. Elle est attribuée en grande partie à lapos;émergence de la 5G et de lapos;internet des objets. Face aux défis de la gestion de grandes quantités de données et pour éviter une augmentation significative de la consommation dapos;électricité mondiale due au stockage de ces données, il est nécessaire de développer des technologies mémoires non volatiles performantes, économes en énergie et denses. La découverte de la ferroélectricité dans lapos;oxyde dapos;hafnium (HfO2) en 2010 a suscité un intérêt marqué tant au niveau scientifique quapos;industriel pour les mémoires ferroélectriques. Ces dispositifs offrent des avantages significatifs, notamment une consommation dapos;énergie réduite, une bonne scalabilité aux nœuds technologiques avancés, une endurance élevée et des vitesses dapos;écriture/lecture rapides. Cette thèse propose dapos;évaluer les performances électriques et la fiabilité des composants mémoires ferroélectriques non volatiles à base dapos;HfO2 fabriqués au CEA-Leti. Lapos;objectif global est dapos;intégrer ces mémoires vers des nœuds technologiques avancés pour augmenter la densité tout en réduisant la consommation dapos;énergie et les tensions dapos;opération. Une compréhension des mécanismes physiques responsables de la dégradation des propriétés des matériaux ferroélectriques sera à mener. Pour cela différents types de composants mémoires allant de cellules unitaires à des matrices de plusieurs dizaines/centaines de kilobits seront disponibles pour mener à bien ce travail. Une partie de la thèse consistera également à identifier les obstacles pour lapos;intégration de ces matériaux dans des nœuds technologiques avancés.

ingénieur ou M2 en physique du semi-conducteur, micro et nanoélectronique

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