Fiabilité et propriétés dynamiques des MOS-HEMT GaN : impact de la barrière enterrée et du type de substrat.

Description de l'offre : Lapos;expansion rapide de lapos;IA et de lapos;informatique en nuage a placé des exigences sans précédent sur lapos;infrastructure des centres de données, où lapos;efficacité énergétique est désormais une contrainte définissante. Malgré leur potentiel, de nombreux systèmes de puissance reposent encore sur des dispositifs à base de silicium, qui souffrent de limitations intrinsèques dapos;efficacité entraînant des pertes dapos;énergie significatives. Les transistors à haute mobilité électronique GaN (GaN HEMTs), grâce à leur mobilité électronique supérieure et à leur tension de claquage élevée, représentent une alternative convaincante, capable dapos;atteindre des efficacités bien plus élevées dans la conversion de puissance. Cependant, leur adoption plus large est limitée par des défis de fiabilité, en particulier ceux liés aux mécanismes de piégeage de charge qui dégradent les performances du dispositif au fil du temps. Dans ce projet de thèse, vous allez explorer les dynamiques fondamentales des porteurs de charge dans les GaN HEMTs, en vous concentrant sur les origines physiques des dérives de la résistance à lapos;état passant et de la tension de seuil - indicateurs clés de lapos;instabilité du dispositif. En analysant systématiquement le comportement électrique de ces transistors dans diverses conditions de fonctionnement, vous allez découvrir les mécanismes derrière leur dégradation et identifier des voies pour améliorer leur robustesse. Vos découvertes informeront directement lapos;optimisation des architectures de dispositifs, permettant le développement dapos;électroniques de puissance plus efficaces et fiables qui peuvent répondre aux exigences des centres de données modernes et au-delà. Vous ferez partie dapos;une équipe de recherche multidisciplinaire au CEA-Leti, collaborant avec des experts en ingénierie des matériaux semiconducteurs, simulation de dispositifs et caractérisation électrique. Cet environnement vous fournira un ensemble de compétences complet, couvrant lapos;ingénierie de processus, les tests électriques avancés et les simulations TCAD. Cette position ne fera pas seulement évoluer votre expertise, mais vous placera également à lapos;avant-garde dapos;un domaine à impact mondial. En contribuant à lapos;avancement des GaN HEMTs, vous jouerez un rôle clé dans la définition de lapos;avenir de lapos;électronique de puissance - où lapos;innovation se traduit directement par des solutions technologiques durables.

Profil du candidat : Master/Ingénieur physique des matériaux