Ingénieur chercheur en conception de circuits intégrés analogue-radiofréquence H/F

Description de l'offre : Ce poste d’ingénieur chercheur en conception de circuits intégrés analogue-radiofréquence pour transceiver radio en technologie avancée a pour objectifs : 1.       Participer à l’accompagnement du projet FAMES à travers la conception de circuits analogiques et radiofréquences destinés aux communications UWB, 5G/6G, etc. 2.       Concevoir des blocs analogiques, tels que des unités d’alimentation dédiées aux circuits RF, ainsi que des circuits purement RF (PA, LNA, VCO, mélangeurs), couvrant des bandes de fréquences allant du sub-10 GHz jusqu’à 140 GHz. 3.       Travailler sur des technologies silicium avancées, telles que le CMOS SOI, au sein d’une équipe pluridisciplinaire regroupant l’ensemble des compétences nécessaires à la réalisation de circuits intégrés complexes. En vous appuyant sur les architectures existantes et accompagné par nos experts, vous serez responsable de la conception et de la simulation de blocs de base, ainsi que de la définition préliminaire du système global. Vous contribuerez également à la planification et à la mise en œuvre des tests des circuits. Au sein de la Direction de la Recherche Technologique (DRT), les ingénieurs-chercheurs ont pour mission principale de conduire des travaux de recherche appliquée visant le transfert technologique, dans le cadre de projets collaboratifs ou bilatéraux avec des partenaires industriels et académiques de renommée mondiale. Au sein d’équipes projet dédiées au développement de nouvelles architectures d’émetteurs-récepteurs RF/mmWave, le candidat participera à l’ensemble des étapes du développement, depuis l’analyse des besoins jusqu’à la caractérisation des circuits, avec les missions suivantes : ·         Réaliser une veille technologique approfondie, analyser de manière critique les solutions issues de l’état de l’art international, contribuer au dépôt de brevets, et co-écrire des articles scientifiques en vue de publications dans des revues spécialisées ou conférences internationales ; ·         Participer activement à la recherche de nouvelles architectures analogique/RF/mmWave, en exploitant les atouts des technologies CMOS avancées, notamment le FD-SOI, et leur intégration dans des architectures de transceivers ; ·         Concevoir les principaux blocs actifs (PMU, Amplificateur baseband, LNA, PA, Mixer, etc.), avec le soutien des experts en design et layout du laboratoire. Une première étape consistera à reconcevoir et optimiser des blocs existants pour répondre aux contraintes spécifiques de la nouvelle architecture ; ·         Réaliser les simulations, y compris au niveau hiérarchique le plus élevé (simulation TOP) interpréter les résultats, les synthétiser et les présenter dans un cadre collaboratif et structuré (revues techniques, livrables projets, réunions d’avancement, etc.). Des déplacements ponctuels (salons, conférences, visites partenaires) sont à prévoir.

Présentation de l’institut : Au sein du Leti, le LAIR (Laboratoire d'Architectures Intégrées Radiofréquences), rattaché au département DSYS, conçoit des circuits intégrés à très forte complexité en technologies CMOS/ CMOS SOI/ BiCMOS et GaN. Ces développements sont réalisés dans le cadre de projets institutionnels, tant au niveau national qu'européen, ainsi qu'en étroite collaboration avec des partenaires industriels du domaine des télécommunications : grands groupes, PME ou start-up. Le laboratoire adresse une large gamme de défis technologiques liés aux circuits intégrés RF et analogiques à faible consommation, aux capteurs intégrant des circuits radiofréquences, aux circuits et modules RF de puissance, ainsi qu'aux circuits de communication RF à très haut débit. Parmi les enjeux majeurs des systèmes de communication sans fil et RF de dernière génération figurent l'intégration de fonctions avancées au sein de systèmes toujours plus compacts, l'augmentation des débits de transmission grâce à l'exploitation de bandes de fréquences de plus en plus élevées (7–15 GHz, 28/40 GHz, 60/140 GHz), l'élargissement des bandes passantes (de quelques centaines de MHz à plusieurs dizaines de GHz), ainsi que le développement de nouvelles architectures innovantes prenant en compte de manière équilibrée les contraintes de coût, de performance et de soutenabilité.

Profil du candidat : Doctorat ou une expérience professionnelle d’au moins 3 ans dans le domaine de la conception de dispositifs intégrés analogique et RF est indispensable. Très bonne connaissance de l'utilisation des outils de conception de circuits intégrés analogique/RF, en Mesure RF et mmW, mais aussi en simulation électrique, en simulation électromagnétiques (EM). Connaissance des outils et étapes de layout est également indispensable. Les projets étant des projets de recherche sur cahiers des charges non figés, le candidat devra faire preuve de capacités d’adaptation et d'une réelle capacité à l'innovation. Il devra être autonome, doté d'une rigueur scientifique, être force de proposition et montrer une volonté à dépasser l'état de l'art. Les qualités suivantes sont en particulier recherchéesOuverture d’esprit Esprit d’initiative et appétence pour l’innovation Envie et capacité de travailler en équipe Maitrise de l’environnement de simulation de circuit radio millimétrique