Lapos;impact des défauts intrinsèques et extrinsèques sur le Ron dynamique et sur off-state courants de fuite des transistors latéraux à base de GaN pour la puissance

Description de l'offre : Le dopage intentionnel de transistors latéraux à haute mobilité électronique (HEMT) de puissance GaN avec des impuretés de carbone (C) est une technique courante pour réduire la conductivité du buffer et augmenter le claquage de tension. Cependant, cela se fait au prix dapos;une augmentation des défauts intrinsèques ainsi que dapos;une dégradation de la résistance dynamique (Ron) et dapos;effets dapos;effondrement du courant. Le but de ce projet est de comparer les performances de dispositifs HEMT contenant différentes quantités de défauts extrinsèques (tels que les atomes de C) et de défauts intrinsèques (tels que les dislocations), en fonction des conditions de croissance pour guider vers une structure buffer optimisée avec une bonne dynamique de Ron et faible fuite verticale simultanément.

Profil du candidat : Matériaux, physique de l’etat solide. M2 ou PFE.