Matériaux SCOamp;FE par ALD pour les transistors FeFET

Description de l'offre : Le Transistor à effet de champ ferroélectriques FeFET est un composant mémoire haute densité adapté aux configurations 3D-DRAM. Le concept FeFET combine l’utilisation des oxydes semi-conducteurs comme matériau de canal et des oxydes métalliques ferroélectriques FE comme grille de transistor [1, 2, 3]. Le dépôt de couches atomiques ALD de matériaux SCO et FE à très faible épaisseur (lt;10 nm) et à basse température (lt;300°C) est particulièrement adapté aux structures 3D-DRAM compatibles BEOL. Le projet de thèse se focalise sur le développement de couches SCO à base dapos;indium à mobilité ultra-élevée (gt;10 cm2.Vs) ; ultra-minces (lt;5 nm) et ultra-conformes (rapport dapos;aspect 1:10). Le doctorant bénéficiera du riche environnement technique de la salle blanche 300/200 mm du CEA-LETI et de la plateforme de nano-caractérisation (analyses physico-chimiques, structurales et microscopiques, mesures électriques). Les développements porteront sur les points suivants : 1-Comparaison de couches SCO (IGZO Indium Gallium Zinc Oxide) fabriquées par techniques ALD et PVD : mise en œuvre de techniques de mesures et de véhicules de test adaptés 2-Caractérisation intrinsèque et électrique des couches ALD-SCO (IWO, IGZO, InO) et ALD-EF (HZO) : stœchiométrie, structure, résistivité, mobilité…. 3-Co-intégration de couches ALD-SCO et ALD-FE pour structures FeFET 3D verticales et horizontales [1]10.35848/1347-4065/ac3d0e [2]https://doi.org/10.1109/TED.2023.3242633 [3]https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.3c02223

Profil du candidat : Ingénieur ou M2 matériaux et instrumentation, microélectronique