Mémoire à chalcogénures à haute endurance pour lapos;IA de nouvelle génération

Description de l'offre : Découvrez une opportunité de thèse unique où vous plongerez au cœur de l’innovation en technologies mémoire. Vous développerez une expertise pointue dans des domaines tels que la caractérisation électrique et la compréhension des phénomènes de dégradation des mémoires à chalcogénures. En rejoignant nos équipes multidisciplinaires, vous jouerez un rôle clé dans l’étude et l’amélioration de l’endurance des dispositifs Phase-Change Memory (PCM) et Threshold Change Memory (TCM), deux technologies prometteuses pour les applications d’intelligence artificielle à haute performance. Vous serez impliqué(e) dans des projets innovants mêlant rigueur scientifique et recherche appliquée sur des dispositifs à l’échelle nanométrique, en interaction directe avec un autre thésard du CEA, qui réalise les analyses physico-chimiques avancées (TEM) pour étudier les phénomènes de dégradation. Vous aurez l’opportunité de contribuer activement à des missions, telles que : · La caractérisation électrique de dispositifs PCM et TCM afin d’analyser la dégradation liée au cyclage · Le développement et l’évaluation de protocoles de programmation innovants pour repousser les limites d’endurance · La proposition de solutions pour améliorer la fiabilité et les performances des mémoires de nouvelle génération · La collaboration et l’échange régulier avec le thésard du CEA pour interpréter les résultats TEM et en tirer des conclusions sur les mécanismes de dégradation

Profil du candidat : Microélectronique, physique des matériaux