Mesures du désalignement Multi-échelles

Description de l'offre : Dans l’industrie de la microélectronique, le contrôle de l’étape de lithographie est assuré par les techniques de mesure par imagerie (IBO, Image Based Overlay) ou par diffraction (DBO, Diffraction Based Overlay). Ces techniques sont relativement simples à mettre en œuvre, rapide et leurs spécifications répondent bien au besoin des technologies matures (CMOS20nm et précédents). Pour exploiter ces techniques, des structures de métrologie dédiées doivent être intégrées dans des zones spécifiques. Ces structures ont un design particulier et différent du produit fabriqué. Se pose alors la question de représentativité de la mesure overlay issue de ces techniques de métrologie par rapport à l’overlay dans le produit. De nouvelles méthodes comme les techniques électroniques à balayage (SEM) sont en cours de développement, l’intérêt majeur est leur capabilité à mesurer à n’importe quel endroit dans le produit et de manière répétable. Cependant cette technique détériore certains matériaux. Des études complémentaires doivent donc être menée pour trouver les meilleurs conditions d’utilisations de cette technique afin de faire le lien entre un désalignement dans le produit et comparer aux mesure via les techniques classiques (IBO et DBO). D’autres techniques, comme les techniques par Rayons X ou d’autres méthodologies seront investiguées (méthode par analyse de défaut, apprentissage machine, …). Ces travaux permettront d’adresser plus efficacement les nouveaux nœuds technologiques actuellement en cours de développement au LETI.

Profil du candidat : Master 2 microélectronique, nanotechnologie, sciences des matériaux, physique