Stage - Caractérisation optique de nanopyramides InGaN riche Indium réalisées sur graphène H/F

Description de l'offre : Notre laboratoire travaille en collaboration avec le laboratoire d’épitaxie du LETI (LMP), où des nanopyramides InGaN riche en Indium, d’excellente qualité structurale, ont été réalisées par croissance localisée sur graphène, permettant d’obtenir des puits quantiques InGaN avec des concentrations d’Indium pouvant atteindre 40% et donc adresser l’émission rouge recherchée dans les applications AR/VR. Par ailleurs, en contrôlant la taille des pyramides, l’émission peut varier du bleu au rouge, ouvrant des possibilités de réalisation de matrices de pixels RGB à émission native. Le but de ce stage sera d’étudier les propriétés optiques de ces puits quantiques InGaN sur pyramides InGaN de différentes compositions. La microscopie de photoluminescence (PL) permettra d’étudier la distribution en longueur d’onde, et la PL (micro et macro) intégrée et résolue en temps, à température ambiante et basse température, permettra de comparer les propriétés de recombinaison des porteurs dans des puits quantiques InGaN/InGaN riches Indium de bonne qualité et de comparer la physique dans ces émetteurs à celle mieux connue dans les puits verts et bleus des LEDs InGaN/GaN. Des études de cathodo-luminescence (CL) permettront d’ajouter des informations à plus haute résolution spatiale sur ces propriétés d’émission. Enfin, nous essaierons d’étudier la directivité d’émission de ces micro-LED pyramidales.

Présentation de l’institut : Au sein du Département Optique et Photonique (DOPT), le Laboratoire d'Innovation sur les Sources Emissives développe des technologies pour la réalisation de sources de lumière innovantes, avec des partenaires industriels. Notre laboratoire (LISE) possède une grande expertise en design, fabrication et caractérisation de micro-LEDs à base de semi-conducteurs nitrures, aujourd'hui étudiées pour leurs applications dans les écrans et les communications optiques.

Profil du candidat : Le stage proposé consistera à étudier les propriétés optiques et spectroscopiques de structures semi-conductrices à base d’InGaN, ce qui demandera des connaissances solides en physique des semi-conducteurs et des dispositifs optoélectroniques comme les LEDs. Un stagiaire de M2 sera privilégié. Des connaissances en programmation Python seront aussi souhaitables pour l’analyse des données. Enfin, une bonne maitrise de l’anglais est indispensable. Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons : Un cadre de recherche unique, dédié à des projets ambitieux au service des grands enjeux sociétaux, Un environnement de travail high-tech et des équipements de recherche à la pointe de l’innovation, Un campus au cœur de la métropole, facilement accessible en mobilité douce, Un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu, Une participation aux frais de restauration, de transport et de logement (sous conditions), Des encadrants bienveillants, passionnés et ayant l’envie de transmettre, Une politique diversité et inclusion, De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage. Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques

Diplome préparé : Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Langues : Anglais Intermédiaire