Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si sur des applications de puissance

L’électrification croissante des systèmes impose des dispositifs de puissance toujours plus performants. Si le carbure de silicium (SiC) est aujourd’hui une technologie mature et industrialisée, d’autres matériaux émergent pour repousser encore les limites. Le diamant, grâce à ses propriétés physiques exceptionnelles, et le nitrure de gallium (GaN) en architecture verticale, offrent un fort potentiel d’amélioration des performances. Cependant, leurs bénéfices réels face aux solutions existantes en silicium (Si) et en SiC restent à démontrer en fonction des applications et des contraintes d’industrialisation. L’objectif de ce postdoctorat est d’identifier les domaines d’application où ces nouvelles technologies pourraient offrir des gains significatifs en considérant les tendances actuelles et futures du marché. Une approche combinant simulation et expérimentation permettra d’évaluer leur pertinence. À partir de simulations TCAD et SPICE, les performances des composants diamant et GaN vertical seront analysées et comparées aux solutions existantes. Ces simulations seront complétées par des mesures expérimentales réalisées sur des dispositifs de test, afin de confronter les résultats théoriques à des données réelles et d’affiner les modèles. Le projet inclut l’analyse des besoins industriels, l’optimisation des architectures de composants, ainsi que la validation expérimentale des performances. Ce travail s’inscrit dans un cadre de recherche appliquée, avec des collaborations académiques et industrielles de premier plan. Il offre une opportunité unique de contribuer au développement des futurs dispositifs de puissance tout en travaillant sur des technologies de rupture.