Conception de mémoire magnétique asynchrone non-volatile

Dans le contexte applicatif de l’internet des objets (IoT) et des systèmes CyberPhysiques, (CPS), les systèmes « Normally off » sont principalement dans un état de veille et attendent des événements déclencheurs tels que des réveils sur compte à rebours, des dépassements de seuil, des réveils électromagnétiques ou encore des variations dans leurs environnements énergétiques pour se mettre en marche. Afin de réduire leur consommation ou par manque d’énergie, le système coupe l’alimentation de la plupart de ses composants durant cette veille. Afin de conserver les informations présentes en mémoire, nous proposons de développer une mémoire non-volatile embarquée. Les technologies de stockage magnétiques sont prometteuses afin d’atteindre tant une faible consommation qu’une rapidité d’accès aux données. De plus, à cause du comportement transitoire de ces systèmes qui passent souvent de la veille à la marche et vice versa, la logique asynchrone est naturellement envisagée pour implémenter la logique numérique. Ce sujet vise ainsi la conception d’une mémoire SRAM magnétique asynchrone dans un procédé de fabrication 28nm. Le composant mémoire devrait être développé jusqu’au dessin des masques, afin d’être caractérisé en consommation et temps d’accès, et de pouvoir être intégré efficacement avec un processeur asynchrone. Repousser les limites de l’état de l’art en proposer un tel composant permettra d’envisager des avancées considérables dans le monde des systèmes autonomes.