Substrats RF disruptifs à base de matériaux polycristallins

Contexte et Objectifs L’optimisation des performances des circuits haute fréquence repose sur l’utilisation de substrats de haute résistivité. Aujourd’hui, les substrats SOI (Silicon On Insulator) à haute résistivité avec une couche de pièges électroniques (« trap-rich ») sous l’oxyde enterré (BOX) sont la référence en matière de performances RF dans les technologies CMOS. Cependant, ces substrats présentent deux défis majeurs : 1) Leur coût relativement élevé. 2) Une dégradation des performances RF à des températures de fonctionnement supérieures à 100 °C. Ce projet postdoctoral propose une approche innovante pour surmonter ces limitations en explorant les performances RF d’un substrat polycristallin de haute résistivité sur toute son épaisseur (plusieurs centaines de microns). Grâce à sa forte densité de pièges électroniques répartis dans tout son volume, ce substrat pourrait garantir une stabilité des performances RF, y compris à haute température. Missions et Contributions En rejoignant ce projet, vous travaillerez en collaboration avec le CEA-Leti et l’Université Catholique de Louvain (UCL), deux institutions de renommée internationale en microélectronique et en caractérisation RF. Vous serez impliqué(e) dans toutes les étapes de l’étude, depuis la modélisation jusqu’aux tests expérimentaux : - Simulation et sélection des matériaux : Réalisation de simulations TCAD pour identifier les substrats polycristallins les plus prometteurs (ex. : poly-Si, poly-SiC, …). - Intégration des substrats dans un procédé avancé : Développement et intégration des substrats polycristallins dans un process flow SOI au CEA-Leti. - Caractérisation RF en conditions extrêmes : Mesures des performances RF en fréquence et en température à l’UCL, avec un focus particulier sur la compréhension des mécanismes physiques sous-jacents grâce au croisement des données expérimentales et des simulations.