Caractérisation électrique et fiabilité de transistors FDSOI de nouvelle génération

La situation de Covid 19 et la crise de la chaîne d'approvisionnement qui a suivi ont révélé au monde à quel point les semi-conducteurs étaient essentiels pour un large éventail d'applications. Les politiciens et les citoyens ont pris conscience que les secteurs de l'industrie et de la recherche du semi-conducteur étaient stratégiques. En France, le gouvernement a chargé le CEA Leti de développer des technologies plus économes en énergie comme la prochaine génération de dispositifs FDSOI (Fully Depleted Silicon On Insulator). Pour atteindre les performances visées de cette nouvelle génération de transistors, plusieurs améliorations technologiques originales sont étudiées, comme l'utilisation d'une contrainte dans le canal et d'une épaisseur réduite pour le film de Si et pour l'oxyde. L'impact de certains de ces nouveaux procédés sur les performances et la fiabilité du dispositif sont encore inconnus et doivent être soigneusement évalué. Dans ce contexte, le but de la thèse sera de caractériser électriquement les empilements de grille HK/MG de cette nouvelle génération de transistors FDSOI pour en évaluer leur performance et leur fiabilité à long terme. Un travail de modélisation des effets physiques observé sera aussi demandé. Un grand nombre de variantes technologiques seront comparées afin de déterminer le meilleur compromis entre performance du dispositif et sa fiabilité