Caractérisation et conception de mémoires non volatiles à base de HfO2 durcies aux effets radiatifs

Ce sujet porte sur la caractérisation et la conception de circuits mémoires non volatiles durcis aux effets radiatifs à base de matériau HfO2. En effet, ce matériau présente des propriétés d'immunité aux radiations naturelles (spatiales) et artificielles (liées aux activités humaines) pouvant être exploitées pour fiabiliser le stockage de données dans des environnements sévères. De plus, combiné à la technologie CMOS FD-SOI, qui présente elle aussi une certaine immunité aux effets radiatifs, il est alors envisageable de mettre en œuvre des circuits mémoires très robustes sans complexifier la périphérie de pilotage, qui est alors l'élément le plus sensible. Dans cette thèse seront étudiés les mémoires ReRAM et FeRAM, qui sont des mémoires prometteuses en terme de performances, d'efficacité énergétique et de scalabilité et qui, à terme, pourraient remplacer les mémoires Flash et EEPROM classiques. Un ou plusieurs testchips sont envisagés pour mettre en œuvre de nouvelles techniques de conception robustes et se benchamarker par rapport aux solutions existantes.