Etude de module de grille MOS innovant pour améliorer l’efficacité énergétique des transistors de puissance en SiC

Les composants en carbure de silicium (SiC) représentent l'avenir de l'électronique de puissance, surpassant les technologies silicium en termes de tolérance à la température et de capacité de gestion de la puissance. Au coeur de cette évolution, le CEA Leti joue un rôle clé dans le développement de ces composants de nouvelle génération, essentiels pour des applications telles que les véhicules électriques, les systèmes de recharge ou les installations photovoltaïques Nos équipes apportent leur soutien à des industriels majeurs européens en établissant des lignes pilotes de production de composants GaN et SiC, ainsi qu'en développant des substrats SiC avec nos partenaires industriels Cette thèse a pour but de développer des approches technologiques novatrices pour la conception de grilles de transistors MOS en SiC et d'évaluer leur impact environnemental pour éclairer nos choix technologiques Vous approfondirez la compréhension de la physique des MOSFETs en SiC en examinant différentes architectures de grille et en identifiant les processus physiques qui restreignent la mobilité électronique dans un canal MOS en SiC. Les questions telles que l'influence du stress sur la mobilité et la possibilité de séparer la mobilité des porteurs de la tension de seuil seront au coeur de vos recherches.