Étude des films de transport d'électrons et de trous pour améliorer la stabilité thermique des photodiodes à base de quantum dots III-V

Les nanocristaux semi-conducteurs ou quantum dots (QD) colloïdaux sont de nouveaux éléments de base pour la fabrication d’imageurs à haute performance ayant une détection de lumière accordable dans la gamme de longueurs d'onde SWIR. Mais ces détecteurs présentent actuellement une dégradation indésirable lorsqu’ils sont soumis à une contrainte thermique élevée. Cette dégradation peut cependant être considérablement réduite en optimisant les matériaux constitutifs de l’empilement photodiode (contacts, couche de transport des trous (HTL), couche de transport des électrons (ETL) et encapsulation), leurs épaisseurs et les procédés d’élaboration utilisés. Ainsi une étude détaillée sera menée afin de trouver les meilleurs candidats pour la HTL, l'ETL et l'électrode supérieure permettant de surmonter les limitations actuelles. La sélection des matériaux et des procédés de dépôts pour ces films minces seront choisis et étudiés parmi une variété de matériaux existants développés au LETI. Les films de QD ayant une absorption accordable entre 1 et 2,5 µm seront préparés par STMicroelectronics et le CEA-IRIG en collaboration avec d'autres partenaires. La fabrication des dispositifs (lithographie/gravure) et les tests électro-optiques seront réalisés en interne au LETI avec le soutien de STMicroelectronics.