L'impact des défauts intrinsèques et extrinsèques sur le Ron dynamique et sur off-state courants de fuite des transistors latéraux à base de GaN pour la puissance

Le dopage intentionnel de transistors latéraux à haute mobilité électronique (HEMT) de puissance GaN avec des impuretés de carbone (C) est une technique courante pour réduire la conductivité du buffer et augmenter le claquage de tension. Cependant, cela se fait au prix d'une augmentation des défauts intrinsèques ainsi que d'une dégradation de la résistance dynamique (Ron) et d'effets d'effondrement du courant. Le but de ce projet est de comparer les performances de dispositifs HEMT contenant différentes quantités de défauts extrinsèques (tels que les atomes de C) et de défauts intrinsèques (tels que les dislocations), en fonction des conditions de croissance pour guider vers une structure buffer optimisée avec une bonne dynamique de Ron et faible fuite verticale simultanément.