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Post-doctorat
Design des différents blocs dapos;un algorithme de calcul hyperdimensionel au sein de matrices mémoires non-volatiles
Pour répondre à différents enjeux scientifiques et sociétaux, les circuits intégrés de demain doivent gagner en efficacité énergétique. Or, la majorité de leur énergie est aujourd’hui consommée par les transferts de données entre les blocs mémoire et logique dans des architectures circuit de type Von-Neumann. Une solution émergente et disruptive à ce problème consiste à...
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Post-doctorat
Developpement de contacts métalliques pour les transistors MOSFET à canal MoS2
Ce travail s’inscrit dans le contexte actuel des recherches prospectives en micro-électronique qui essaye de tirer profit de nouveaux matériaux émergents aux dimensions nanométriques pour continuer la réduction d’échelle des dispositifs MOSFETs. Aujourd’hui, les matériaux 2D, en particulier les dichalcogénures de métaux de transition, présente une alternative intéressante aux technologies Si. En effet, la structure...
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Post-doctorat
Optimisation des interfaces Li métal/électrolyte pour les nouvelles générations d’accumulateur tout solide
Le CEA Tech Nouvelle-Aquitaine, créé en 2013, a mis en place, depuis plus de deux ans, un nouveau laboratoire sur le développement de matériaux et sur le criblage haut débit pour accélérer la découverte de matériaux pour les nouvelles générations d’accumulateurs au Li. Pour cela, le CEA Tech Nouvelle-Aquitaine a acquis différents équipements de dépôt...
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Post-doctorat
Calibration automatique de boites quantiques assistée par réseaux de neurones et modèle physique
Les ordinateurs quantiques offrent de grandes promesses pour faire progresser la science, la technologie et la société en résolvant des problèmes au-delà des capacités des ordinateurs classiques. Lapos;une des technologies de bits quantiques (qubits) les plus prometteuses est celle des qubits de spin, basés sur des boîtes quantiques (BQ) tirant parti de la grande maturité...
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Post-doctorat
Méthodes de reconstruction avancées pour la cryo-tomographie électronique appliquée à des échantillons biologiques
La Cryo-tomographie électronique (CET) est une technique puissante pour lapos;analyse structurelle en 3D dapos;échantillons biologiques dans leur état quasi naturel. Au cours de la dernière décennie, CET a connu des avancées remarquables en matière dapos;instrumentation, mais la rétroprojection filtrée (FBP) reste la méthode de reconstruction standard pour CET. En raison des dommages causés par les...
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Post-doctorat
Substrats RF disruptifs à base de matériaux polycristallins
Contexte et Objectifs L’optimisation des performances des circuits haute fréquence repose sur l’utilisation de substrats de haute résistivité. Aujourd’hui, les substrats SOI (Silicon On Insulator) à haute résistivité avec une couche de pièges électroniques (« trap-rich ») sous l’oxyde enterré (BOX) sont la référence en matière de performances RF dans les technologies CMOS. Cependant, ces...
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Post-doctorat
Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si sur des applications de puissance
L’électrification croissante des systèmes impose des dispositifs de puissance toujours plus performants. Si le carbure de silicium (SiC) est aujourd’hui une technologie mature et industrialisée, d’autres matériaux émergent pour repousser encore les limites. Le diamant, grâce à ses propriétés physiques exceptionnelles, et le nitrure de gallium (GaN) en architecture verticale, offrent un fort potentiel d’amélioration...
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Post-doctorat
Caractérisation électrique de matériaux 2D pour la microélectronique
Les composants de microélectroniques du futur seront de plus en plus petit et de moins en moins gourmands en énergie. Pour relever ce défi, les matériaux 2D sont d’excellents candidats du fait de leurs dimensions. De nouveaux matériaux 2D avec des propriétés nouvelles sont créés tous les jours. Mais leur intégration et la mesure de...
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Post-doctorat
Co-Optimisations de Conceptions et Technologies (DTCO) pour les applications RF millimétriques: utilisation de lapos;intégration homogène et hétérogène puce à plaque par collage hybride
Ces dernières années ont été lapos;objet de nombreuses avancées technologiques dans les semi-conducteurs à base de silicium; néanmoins les limites en termes de performances fréquentielles et de puissance semblent atteintes et imposent le développement de nouveaux composants type III-V (telles que InP et GaN) plus rapides et plus puissants pour les applications RF millimétriques. Pour...
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