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Nano-caractérisation avancée
Caractérisation électrique et fiabilité de transistors FDSOI de nouvelle génération
La situation de Covid 19 et la crise de la chaîne d'approvisionnement qui a suivi ont révélé au monde à quel point les semi-conducteurs étaient essentiels pour un large éventail d'applications. Les politiciens et les citoyens ont pris conscience que les secteurs de l'industrie et de la recherche du semi-conducteur étaient stratégiques. En France, le...
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Nano-caractérisation avancée
Capteurs MEMS en régime chaotique pour amplification de la résolution
L'amélioration de la résolution des capteurs MEMS s'obtient toujours par une augmentation du cout du composant (surface) ou de son électronique (complexité et conso). Au vu des enjeux actuels de sobriété énergétique, il est essentiel d'explorer de nouvelles voies disruptives permettant de réduire les impacts liés à la haute performance des capteurs. Le chaos est...
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Nano-caractérisation avancée
Mesures du désalignement Multi-échelles
Dans l’industrie de la microélectronique, le contrôle de l’étape de lithographie est assuré par les techniques de mesure par imagerie (IBO, Image Based Overlay) ou par diffraction (DBO, Diffraction Based Overlay). Ces techniques sont relativement simples à mettre en œuvre, rapide et leurs spécifications répondent bien au besoin des technologies matures (CMOS20nm et précédents). Pour...
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Nano-caractérisation avancée
Visualisation des mécanismes d'incorporation de dopants dans des semi-conducteurs fortement dopés à l'aide de combinaisons de techniques (S)TEM haute résolution
Contexte : Il existe un besoin en spécimens semi-conducteurs très fortement dopés pour le développement continu de dispositifs CMOS Si/Ge et pour le dopage de matériaux III-V où l'énergie d'ionisation conduit à une faible concentration de porteurs. Afin de fournir ces spécimens hautement dopés, de nouvelles méthodes de croissance et d’implantation sont nécessaires. Ceux-ci doivent...
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Nano-caractérisation avancée
Développement d’une méthode de caractérisation large échelle de motifs photoniques courbes pour la préparation de données de masques avancées.
La photonique intégrée sur silicium, qui consiste à utiliser les procédés de fabrication de l’industrie microélectronique pour réaliser des composants photoniques, est considérée comme une technologie d’avenir critique pour les applications de communications et de calcul à très haute vitesse. La réalisation de dispositifs Photonique sur silicium nécessite la manipulation de designs intégralement courbes (dits...
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Nano-caractérisation avancée
Cartographie chimique 3D de dispositifs CMOS avancés pour le noeud technologique 10 nm
La mise en place de la technologie FDSOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) 10 nm fait apparaître des nouvelles contraintes sur l’architecture des transistors. En particulier, les largeurs des grilles (10 nm) demandent l’adaptation de l’intégration de la grille qui contrôle la tension seuil. La variabilité de cette tension seuil dépend de la concentration, distribution...
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Nano-caractérisation avancée
Evaluation des performances et fiabilité des mémoires ferroélectriques à base d'oxyde d'hafnium pour une intégration vers les nœuds avancés
Une explosion de la production mondiale de données est observée aujourd’hui. Elle est attribuée en grande partie à l'émergence de la 5G et de l'internet des objets. Face aux défis de la gestion de grandes quantités de données et pour éviter une augmentation significative de la consommation d'électricité mondiale due au stockage de ces données,...
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Nano-caractérisation avancée
Quantification des composés binaires stratégiques par photoémission haute-énergie (HAXPES) et analyse de surface combinée
La thèse a pour principal objectif d’apporter un support fiable aux étapes de qualification des procédés en salle blanche pour l’élaboration des matériaux Front-End destinés aux technologies FD-SOI avancées. Pour ce faire, des méthodologies de quantification élémentaire centrées sur l’utilisation de la spectroscopie de photoélectrons par rayons X durs (HAXPES) seront développées et fiabilisées grâce...
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Nano-caractérisation avancée
Extraction de la rugosité de flans de lignes avec une résolution sub-nanométrique
Dans le cadre du Chips Act européen, le CEA-Leti s’engage à accompagner la miniaturisation des composants de la microélectronique demandée pour les futurs nœuds technologiques. L’étude de la rugosité est devenue cruciale car des variations ‘négligeables par le passé’ de quelques Angströms devienne critique (quelques % d’erreur) sur des objets de taille inférieures à 7...