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Doctorat
Caractérisation électrique et fiabilité de transistors FDSOI de nouvelle génération
La situation de Covid 19 et la crise de la chaîne dapos;approvisionnement qui a suivi ont révélé au monde à quel point les semi-conducteurs étaient essentiels pour un large éventail dapos;applications. Les politiciens et les citoyens ont pris conscience que les secteurs de lapos;industrie et de la recherche du semi-conducteur étaient stratégiques. En France, le...
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Doctorat
Capteurs MEMS en régime chaotique pour amplification de la résolution
Lapos;amélioration de la résolution des capteurs MEMS sapos;obtient toujours par une augmentation du cout du composant (surface) ou de son électronique (complexité et conso). Au vu des enjeux actuels de sobriété énergétique, il est essentiel dapos;explorer de nouvelles voies disruptives permettant de réduire les impacts liés à la haute performance des capteurs. Le chaos est...
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Doctorat
Mesure par scattérométrie de la distance focale dapos;exposition des outils de photolithographie en microélectronique
Depuis la fin des années 2000 avec l’arrivée des nœuds CMOS45nm, le contrôle des dimensions critiques (CD) des structures de l’étape photo-lithographie est devenu critique pour la fiabilité des circuits imprimés. La photo-lithographie optique demeure la technique la plus économique et la plus répandue pour la production grand volume dans l’industrie du semi-conducteur. Sur ce...
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Doctorat
Visualisation des mécanismes dapos;incorporation de dopants dans des semi-conducteurs fortement dopés à lapos;aide de combinaisons de techniques (S)TEM haute résolution
Contexte : Il existe un besoin en spécimens semi-conducteurs très fortement dopés pour le développement continu de dispositifs CMOS Si/Ge et pour le dopage de matériaux III-V où lapos;énergie dapos;ionisation conduit à une faible concentration de porteurs. Afin de fournir ces spécimens hautement dopés, de nouvelles méthodes de croissance et d’implantation sont nécessaires. Ceux-ci doivent...
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Doctorat
Développement d’une méthode de caractérisation large échelle de motifs photoniques courbes pour la préparation de données de masques avancées.
La photonique intégrée sur silicium, qui consiste à utiliser les procédés de fabrication de l’industrie microélectronique pour réaliser des composants photoniques, est considérée comme une technologie d’avenir critique pour les applications de communications et de calcul à très haute vitesse. La réalisation de dispositifs Photonique sur silicium nécessite la manipulation de designs intégralement courbes (dits...
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Doctorat
Cartographie chimique 3D de dispositifs CMOS avancés pour le noeud technologique 10 nm
La mise en place de la technologie FDSOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) 10 nm fait apparaître des nouvelles contraintes sur l’architecture des transistors. En particulier, les largeurs des grilles (10 nm) demandent l’adaptation de l’intégration de la grille qui contrôle la tension seuil. La variabilité de cette tension seuil dépend de la concentration, distribution...
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Doctorat
Evaluation des performances et fiabilité des mémoires ferroélectriques à base dapos;oxyde dapos;hafnium pour une intégration vers les nœuds avancés
Une explosion de la production mondiale de données est observée aujourd’hui. Elle est attribuée en grande partie à lapos;émergence de la 5G et de lapos;internet des objets. Face aux défis de la gestion de grandes quantités de données et pour éviter une augmentation significative de la consommation dapos;électricité mondiale due au stockage de ces données,...
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Doctorat
Impact et cohabitation du Lithium sur une plateforme de microélectronique
Contexte : les matériaux à base de Lithium, qu’ils soient en couches minces ou sous forme de matériaux massifs, présentent un fort intérêt avec des applications variées (batteries, composants RF...). Cependant, la cohabitation du Lithium avec les matériaux dits « standards » de la microélectronique requiert une attention particulière quant à une dissémination en salle...
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Doctorat
Quantification des composés binaires stratégiques par photoémission haute-énergie (HAXPES) et analyse de surface combinée
La thèse a pour principal objectif d’apporter un support fiable aux étapes de qualification des procédés en salle blanche pour l’élaboration des matériaux Front-End destinés aux technologies FD-SOI avancées. Pour ce faire, des méthodologies de quantification élémentaire centrées sur l’utilisation de la spectroscopie de photoélectrons par rayons X durs (HAXPES) seront développées et fiabilisées grâce...
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Doctorat
Extraction de la rugosité de flans de lignes avec une résolution sub-nanométrique
Dans le cadre du Chips Act européen, le CEA-Leti s’engage à accompagner la miniaturisation des composants de la microélectronique demandée pour les futurs nœuds technologiques. L’étude de la rugosité est devenue cruciale car des variations ‘négligeables par le passé’ de quelques Angströms devienne critique (quelques % d’erreur) sur des objets de taille inférieures à 7...