CDD - Ingénieur simulation et design de dispositifs de puissance SiC H/F

Job description: Description de l'offre : Notre unité a pour ambition de faire du Leti le premier institut de recherche technologique développant des architectures de puissance en SiC sur une ligne 200mm. Dans cette optique, le laboratoire souhaite renforcer son équipe SiC avec un nouvel ingénieur simulation. Au sein du laboratoire LAPS d'une vingtaine d’ingénieurs-chercheurs pluridisciplinaires et en lien avec les laboratoires de test et de simulations, vous êtes en charge de modéliser et simuler de nouvelles architectures de puissance à base de carbure de silicium (SiC). Plus particulièrement, vous contribuez au design des masques, au dimensionnement et à la modélisation multiphysique de transistors MOSFET à base de carbure de silicium. Vos principales activités sont les suivantes : -Simulations numériques TCAD: du processus de fabrication (process) jusqu’au comportement électro-thermique du composant. -Dimensionnement des composants pour répondre aux spécifications préalablement définies en lien avec le besoin applicatif. Interactions avec les différentes équipes en charge de l'intégration technologique, de la caractérisation électrique et de la simulation numérique pour supporter l’analyse électrique des composants. -Support aux ingénieurs « dispositif » et intégration « filière » à l’analyse des résultats électriques en lien avec les variantes process et design mises en jeu sur les composants.+

Institute description: Le laboratoire LAPS est spécialisé dans le développement de composants de puissance en matériau semi-conducteur à large bande interdite, parmi lesquels le nitrure de gallium GaN et le carbure de silicium SiC. Ces composants ont des applications en électronique de puissance car ils peuvent être utilisés à plus haute température et à plus forte puissance que les composants à base de silicium. Ces dispositifs sont critiques pour répondre aux énormes besoins d'électrification de la société, en vue de réduire notre empreinte carbone. Le Leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ce type de composants. Nos équipes collaborent avec des acteurs majeurs du domaine avec la mise en place de lignes pilote de fabrication de composants GaN chez STMicroelectronics et de fabrication de substrats SiC chez Soitec, et aussi avec des intégrateurs applicatifs comme Renault ou Valeo.

Your profile: Qu’attendons-nous de vous ? Formation supérieure Ingénieur et/ou Master 2 en physique et microélectronique, avec des compétences en simulations TCAD (idéalement outils de la suite Synopsys), et une première expérience dans les semiconducteurs « grand gap ». Capacité à travailler en équipe autour d'un projet pluridisciplinaire, rigueur technique et méthodologique, bonnes capacités de communication. Anglais indispensable. Vous avez encore un doute ?  Nous vous proposons : Un écosystème de recherche à la pointe, unique en son genre et dédié à des thématiques à fort enjeu sociétal, Des activités porteuses dans un contexte économique favorable, Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles, Un équilibre vie privée/vie professionnelle reconnu, Un accord de télétravail, L’accès à une épargne abondée par le CEA Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, (https://www.investingrenoblealpes.com/en/12-great-reasons-to-choose-grenoble-alpes/) Une rémunération selon vos diplômes et votre expérience, Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles, Une politique diversité et inclusion. Nous avons hâte de vous accueillir dans notre équipe ! Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!

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