Ingénieur filière technologique sur les composants de puissance à semi-conducteur grand gap H/F

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Au sein d'une équipe d'une vingtaine d’ingénieurs-chercheurs pluridisciplinaires et en relation avec des partenaires industriels et académiques de premier rang, vous êtes en charge d’une filière de fabrication de nouveaux composants de puissance à semi-conducteur à large bande interdite. Plus particulièrement, vous contribuez au développement de nouvelles générations de transistors de puissance à base de GaN sur silicium ou sur d’autres substrats alternatifs. Vous assurez : Le suivi des lots tout au long de leur fabrication en salle blanche et en lien avec les chefs de projet et les responsables intégration => définition de l’enchaînement des étapes de fabrication et sélection des variantes technologiques, contrôle et analyse de la conformité des étapes au cours de la fabrication ; rédaction du rapport de fin de fabrication du lot, Le support au montage des nouveaux flows d’intégration, en lien avec les responsables intégration et les pilotes engineering de la plateforme de fabrication =>  contribution à l’établissement du cahier des charges de la filière, à la définition du descriptif des masques et de l’enchaînement des étapes technologiques, à la définition des actions de développement des procédés et modules technologiques.   Pourquoi nous rejoindre? Nous vous proposons d'intégrer au travers de ce poste un environnement de recherche unique pour une expérience sur une thématique à la pointe de l’innovation. Vous bénéficierez : de formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles, d'un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu,  d'un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, d'une rémunération selon vos diplômes et votre expérience, d'un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles, d'une épargne abondée par le CEA. #Nanotechnology

Le laboratoire LAPS est spécialisé dans le développement de composants de puissance en matériau semi-conducteur à large bande interdite, parmi lesquels le nitrure de gallium GaN et le carbure de silicium SiC. Ces composants ont des applications en électronique de puissance car ils peuvent être utilisés à plus haute température et à plus forte puissance que les composants à base de silicium. Le leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ce type de composants. Nos équipes supportent des acteurs majeurs du domaine avec la mise en place de lignes pilote de fabrication de composants GaN chez STMicroelectronics et de fabrication de substrats SiC chez SOITEC.

De formation supérieure bac+5 dans le domaine de la micro-électronique avec une large connaissance des technologies de fabrication salle blanche, vous justifiez d’une première expérience dans une mission de recherche et développement. Votre anglais est courant. Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!

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