Stage - Caractérisations électro-optiques et modélisation de photodiodes PiN pour l'imagerie IR H/F

Job description: Au sein de notre laboratoire d’une vingtaine de personnes, en tant que stagiaire, votre rôle consistera à : - Caractériser en laboratoire des photodiodes PiN à base de HgCdTe. Ces diodes ont été fabriquées au sein du LETI par les équipes du DPFT. Elles ont pour objectif de permettre un fonctionnement de nos détecteurs IR très haute température (>130K pour des coupures dans le moyen IR) ou d’obtenir des performances meilleures que les diodes standard (réduction du courant d’obscurité). Cette technologie nécessite de lever plusieurs verrous technologiques. Les mesures seront réalisées à basse température dans un environnement cryogénique (typiquement de 77K à 300K) - Utiliser tous les bancs de mesure mis à disposition pour permettre une meilleure compréhension des objets réalisés (mesures IV, CV, Effet Hall, FTIR, …), dans des conditions expérimentales variées (température, flux photonique, …) - Proposer un modèle physique simplifié prenant en compte les différentes géométries de design diodes dessinées ainsi que les paramètres physiques variables explorés pendant les expérimentations pour aider au développement de cette technologie de photodiode. - Réaliser des simulations numériques avec l’aide d’outil TCAD des photodiodes PiN.

Institute description: Le service des composants pour l'imagerie (SCIM) est chargé : - de la conception et du développement des capteurs d'image ; - de la conduite de projets ; - de l'architecture composant ; - de la filière et de la caractérisation pour les domaines de l'imagerie. Il couvre les applications dans les domaines du rayonnement visible, infrarouge et jusqu'au teraHertz. Le SCIM s'appuie sur les moyens technologiques du DPFT (Département des PlateFormes Technologiques) de l'Institut Leti, intégrant les procédés sur silicium 200 et 300 mm, ainsi que les procédés à base de matériaux II-VI et III-V. Au sein du Département Optique et PhoTonique (DOPT) du CEA LETI, le Laboratoire d'Imagerie « InfraRouge » (LIR) développe les nouvelles générations de détecteurs « infrarouge » refroidis sur les matériaux semi-conducteurs II-VI et III-V, dans le cadre d'un laboratoire commun avec notre partenaire industriel LYNRED, leader mondial en détecteurs IR.

Your profile: Vous êtes titulaire d’un master, dans le domaine de la physique des composants à base de matériaux semi-conducteurs et avez envie d’une expérience dans le monde de la recherche appliquée. Les principales compétences techniques requises au poste sont : physique de la jonction PN et du semi-conducteur. Mesures électrique et électro-optique : courant-tension, capacité-tension, détection synchrone, FTIR, cryogénie. Aisance pour le traitement des données. Attrait pour le travail expérimental et la simulation et/ou modélisation physique. Vous êtes reconnu(e) pour votre rigueur expérimentale, votre capacité d’analyse des données, votre bonne compréhension des phénomènes physiques, et votre sens de l’organisation. Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons : Un cadre de recherche unique, dédié à des projets ambitieux au service des grands enjeux sociétaux, Un environnement de travail high-tech et des équipements de recherche à la pointe de l’innovation, Un campus au cœur de la métropole, facilement accessible en mobilité douce, Un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu, Une participation aux frais de restauration, de transport et de logement (sous conditions), Des encadrants bienveillants, passionnés et ayant l’envie de transmettre, Une politique diversité et inclusion, De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage, notamment à travers la préparation d'une thèse en doctorat. Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques

Level of qualification studied: Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Languages: English Fluent