Ingénieur chercheur en conception circuits intégrés RF et millimétriques H/F

Job description: Au sein d’équipes projet travaillant au développement de nouvelles architectures d'émetteur-récepteur RF/mmW pour des applications 5G et au-delà, le ou la  candidat(e) participera à l’analyse, la conception, la simulation, l’implémentation et la caractérisation de front end radio avec les missions suivantes : Participation aux tests et analyse de l’architecture existante en cours de design actuellement.  Veille technologique, analyse comparative des solutions de l’état de l’art international, implication active dans les salons, les conférences internationales, dépôts de brevets, écriture d’article de journaux scientifiques et publications de travaux. Participer à la recherche de nouvelles architectures RF/mmW en utilisant les bénéfices de nouvelles technologies CMOS avancées (FD-SOI) et leur intégration dans un module, ainsi que les architectures et blocs clés déjà développés au sein du laboratoire. Conception des différents blocs clés au niveau actifs ( type LNA et PA). Accompagné par nos experts en design et layout cette étape consistera en premier lieu à reconcevoir et optimiser des blocs existants pour les adapter aux contraintes de la nouvelle architecture. Réalisation, interprétation, synthèse et présentation de résultats de simulation et de test.   Des déplacements et missions sont possibles pour des salons et conférences ou chez nos partenaires. Les profils et compétences des collègues étant variés, il sera essentiel de faire preuve d’ouverture d’esprit et d’initiatives pour aller chercher l’innovation dans la complémentarité des ressources allouées aux projets. Les résultats obtenus et l’activité inventive devront prioritairement faire l’objet d’une analyse de propriété intellectuelle en vue de leur protection ou exploitation, ainsi que faire l’objet de publications scientifiques.

Institute description: Le laboratoire LAIR du département Leti/DSYS développe des systèmes sur puce (SoC) en technologies CMOS avancées : 65 nm (bulk et PD-SOI), 55nm BiCMOS, 45 nm (PD-SOI), 40 nm, 28 nm (notamment FD-SOI) et 22 nm, à très forte complexité pour des partenaires industriels du domaine des télécommunications, aussi bien des grands groupes, que des PME et start-up. Les enjeux majeurs des systèmes de communication sans fil / RF de dernière génération, au-delà de la 5G concernent l'intégration de fonctions nécessaires sur un système le plus compact possible, et la montée en débit des communications radio par l'utilisation de bandes de fréquence de plus en plus hautes (10-15GHz, 28 GHz, 60 GHz), avec des bandes passantes également très larges (de quelques centaines de MHz à plusieurs dizaines de GHz) le tout en couplant les techniques de réseaux d'antenne et de front end innovants (accès MIMO).

Your profile: Formation : Bac+5 minimum, Diplôme d’ingénieur ou de master. Un Doctorat ou une expérience professionnelle dans le domaine de la conception de dispositifs intégrés RF et mmW. Typiquement deux années d’expérience en conception de circuits intégrés dans les bandes mmW est attendue. Compétences particulières :  Le/la candidat(e) devra avoir une très bonne connaissance de l'utilisation des outils de conception de circuits intégrés analogique/RF, en Mesure RF et mmW, mais aussi en simulation électrique, en simulation électromagnétiques (EM). La connaissance des outils et étapes de layout est un plus Les simulateurs utilisés seront ADS / Momentum / Spectre RF / Goldengate sous environnement CADENCE ainsi que HFSS pour la conception EM en 3D (rayonnement, propagation, packaging, etc).  Qualités adaptées :  Les projets étant des projets de recherche sur cahiers des charges non figés, le/la candidat(e) devra faire preuve de capacités d’adaptation et d'une réelle capacité à l'innovation. Il devra être autonome, doté d'une rigueur scientifique, être force de proposition et montrer une volonté à dépasser l'état de l'art. · Ouverture d’esprit · Esprit d’initiative et appétence pour l’innovation · Envie et capacité de travailler en équipe · Maitrise de l’environnement de simulation de circuit radio millimétrique

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